Известны устройства для нанесения пленок катодным распылением в тлеющем разряде на постоянном токе с применением очищающей ионной бомбардировки поверхности почложки во время осаждения пленки, содержащее вакуумную камеру, снабженную катодом, анодом и держателем подложек.
С целью -обеспечения последовательного нанесения пленок на каждую подложку и интенсификапии ионной бомбардировки подложек в предлагаемом устройстве держатель с подложками расположен за анодом, имеющим окно, предназначенное для напыления пленкт на подложк , ос 1цествляемое одновременно с интенсивной бомбардировкой поверхности нодложки за счет дополнительного разряда, создаваемого между анодом и держателем подложек.
На чертеже приведена схема пре.алагаемого устройства.
Устройство содержит стандартную вакуумную камеру, снабженную катодом /, анодом 2 и держателем подложек 3, например, дискового типа, которые электрически изолированы друг от друга. Держатель несет подложки 4, на поверхность которых, обращенную в сторону катода, с помощью контактов 5 подается потенциал держателя, а также полает и фиксирует подложки в зоне напыления против окна 6 в аноде.
Первоначально держатель подложек устанавливается в положение, когда против окна в аноде не оказывается подложки. Затем между катодом и анодом включается основной
тлеющий разряд, в котором происходит распыление катода. После предварительного разогрева катода подается отрицательный относительно анода потенциал на держатель. В зависимости от расстояния / между анодом
и держателем при заданном давлении рабочего газа в вакуумной камере устройство обеспечивает один из двух режимов ионной бомбардировки поверхности держателя (а во Время напыления - подложки) против окна
в аноде: режим ионной бомбардировки со смещением в основном разряде, когда расстояние / при данном давлении рабочего газа мало для горения второго разряда между анодом и держателем и режим ионной бомбардировки в дополнительном разряде, когда между держателем и анодом в районе окна зажигается второй разряд, то-есть расстояние I достаточно для горения этого дополнительного разряда.
С помощью держателя первая подложка устанавливается против окна в аноде. Испускаемые катодом частицы распространяются через разрядный промежуток, сквозь окно в аноде попадают на подлол ку и конденсируность, на которую осаждается пленка, подвергается ионной бомбардировке, вызывающей десорбцию газов с этой поверхности. Интенсивность ионоой бомбардировки зависит от потенциала на держателе, давления рабочего газа и от режима, который в свою очередь определяется, как показано выше, расстояннем /.
После наяесения пленки на первую подложку в зону напыления подается вторая и т. д.
Предмет изобретенияУстройство для наяесения пленок катодным распылением в тлеющем разряде -на ностоянном токе с применением очищающей ионной бомбардировки поверхности подложки во время осаждения пленки, содержащее вакуумную камеру, снабженную катодом, анодом и держателем подложек, отличающееся тем, что, с целью обеспечения последовательного занесения пленок на каждую подложку и интенсификации ионной бомбардировки подложек, держатель с подложками расположен за анодом, имеющим окно, предназначенное для напыления плепки ;на подложку, осуществляемое одновременно с интенсивной бомбардировкой поверхности ноДложки за счет допол«ительного разряда, создаваемого между анодом и держателем подложек.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБЫ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ УДАЛЕННУЮ ПЛАЗМУ ДУГОВОГО РАЗРЯДА | 2013 |
|
RU2640505C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНО-ДЕКОРАТИВНЫХ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ НАПЫЛЕНИЕМ | 1993 |
|
RU2065890C1 |
Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления | 2015 |
|
RU2607398C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК | 2012 |
|
RU2510984C2 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ РЕАКТИВНЫМ ИСПАРЕНИЕМ АЛЮМИНИЯ В РАЗРЯДЕ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ | 2016 |
|
RU2653399C2 |
ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ С ПОГРУЖЕНИЕМ В ДУГОВУЮ ПЛАЗМУ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ И ИОННАЯ ОБРАБОТКА | 2014 |
|
RU2662912C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ | 1993 |
|
RU2075539C1 |
МАГНЕТРОННАЯ РАСПЫЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА | 2002 |
|
RU2220226C1 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК | 1971 |
|
SU322420A1 |
ПЛАЗМЕННО-ИММЕРСИОННАЯ ИОННАЯ ОБРАБОТКА И ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ ПРИ СОДЕЙСТВИИ ДУГОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2695685C2 |
Даты
1970-01-01—Публикация