СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХСТРУКТУР Советский патент 1970 года по МПК H01L21/04 

Известен способ изготовления полупроводниковых структур с р-«-переходом малой площади (меза-структур), а также многоэлементных схем с несколькими р-«-переходами путем травления пластины полупроводника с уже созданным р-л-переходом большой площади с применением фотолитографии.

Предложенный способ отличается от известного тем, что защитные покрытия наносят на противоположные металлизированные поверхности пластины полупроводника в виде ряда участков заданной конфигурации, попарно смещенных относительно друг друга и частично перекрывающих друг друга, а затем проводят двустороннее травление пластины полупроводника на глубину, превышающую глубину залегания р-л-переходов. Это позволяет упростить изготовление омических контактов с р-л-переходом малой площади.

Предложенный способ заключается в следующем.

На пластине полупроводника любым известным способом создают р-/г-переход большой площади. Чтобы получить омические контакты, проводят металлизацию поверхностей пластины, затем с двух сторон пластины полупроводника наносят защитные покрытия в виде ряда локальных участков заданной конфигурации. На противоположных поверхностях пластины соответствующие защитные

участки попарно смещены относительно друг друга и частично перекрывают друг друга. После этого осуществляют химическое травление незащищенных участков пластины с двух сторон на глубину, превыщающую глубину залегания р-л-перехода. У полученных структур площадь омических контактов более чем в десять раз превышает площадь р-л-переходов.

Предложенным способом можно также изготовлять многоэлементные схемы с несколькими р-л-переходами. Для этого на противоположные поверхности пластины полупроводника указанным путем наносят защитные покрытия заданного рисунка, соответствующего электрической схеме, после чего проводят описан 1ую химическую обработку пластины.

Предмет изобретения

Способ изготовления полупроводниковых структур с р-л-переходом малой площади, а также миогоэлементных схем, содержащих несколько р-л-переходов, путем травления пластины полупроводника с р-л-переходом

большой площади, созданным на ней любым известным способом, с использованием локальной защиты от травления, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омических контактов р-л-переходом 3 на противоположные металлизированные поверхности пластины полупроводника в виде ряда участков заданной конфигурации, нопарно смещенных относительно друг друга и 4 частично перекрывающих друг друга, после этого проводят травление пластины полупроводника с двух сторон на глубину, превышающую глубину залегания р-«-переходов.