Постоянное запоминающее устройство Советский патент 1980 года по МПК G11C17/04 

Изобретение относится к области вычисяитепьной.техншси и предназначено для построения постоянных запоминшощвос устройств (ПЗУ) цифровых вычяслительных машин я систем дискретной автоматики. Известно ПЗУ с накопителем (числовым блоком), выполненным в виде диодной . матрицы Щ . Такое выполнение накопителя является одним из наиболее рациональных при п& строении, например, интегральных ПЗУ. Особенно перспективны диодно-маггричные ПЗУ, собираемые из диодно-; резистивных полупроводниковых интегральных микросхем высокой степени интеграции, которые получили название диодных матри н ных БИС. В их состав наряду с диодна. матричным накопителем входят дсполщтельные днодно-резистивные узлы, обеспёчивающие организацию выборки ивформаций. Однако невысокая помехозащвшеинрсть известного устройства значительно сужает область его применения. Наиболее- близким к предложенному устройству по технической сущности яв-iляется постоянное запоминающее устройство, которое содержит накопитель, выполненный в виде диодной матрицы, входные шины которого, соединяющие аноды диодов, имеют внешние вьтводы, а выходные подключены к резисторам. Вторые концы резисторов подключены к шинам второй диодной матрицы, соединяющим аноды диодов, и к входам выходных диодшлх. сборок, ортогональные шины второй диодной ь:&грицы И ВЫХОДЫ диодных сборок также имеют внешние выводы Гй . Резисторы вместе со второй диодной матрицей и выходными сборками образуют адресный узел, обеспечивающий выдачу на выходы диодных сборок информации только с тех ВЫХОД1ЕЫХ шин накопитёйя, адрес которых соответствует коду, подаваемому ва выводы шин второй диодной матрицы. Недостаток этого устройства - сравнительно высокий jrpoBeHb выходного О, который при неблагоприятном

стечении обстоятельств может достигать 0,9 В.- Это ухудшает соотношение уровней выходных сигналов при построении ПЗУ.

Зто-достигается тем, что в постоянное запоминающее .устройство, Содержащее первые и вторые диоды, соединенные по матричной схеме, причем катоды первых диодов через резисторы соединены с анодами вторых диодов и анодами Третьих диодов, аноды первых диодов под;ключены к первым входным шинам, а катоды вторых диодов соединены со вторыми входными Шинами, и выходные шины, вве- деньт четвертые диоды, аноды которых подключены к катодам третьих диодоб, ,а катоды - к выходным шинам.

На чертеже изображена электрическая схема устройства.

Оно содержит первые, вторые, третьи и четвертые диоды 1-4, резисторы 5, первые входные шины 6, вторые входные шины 7, выходные шины 8.

Устройство работает следующим обра- v зом.

При поступлении высокого потенциалов на один из первых входных шин б он передается на выбранные диоды 1 и через резисторы 5 на соответствующие вторые диоды 2. Причем невыбранные вторые диоды 2 шунтируются, так как на невыбранных вторых входных шинах 7 присутствует низкий потевдиал. На одной выбранной ши не 7 находится высокий потенциал. Поэтому этот высокий потенциал передается на одну из выходных шин 8, что рбвнозначно считыванию сигнала 1. Если же в соответствующем пер)екрестии матрицы не окажется одного из диодов 1, то на одной из выходных шин 8 оказывается низкнЙ потенциал, что приводит к считыванию О

Включение диодов 4 между катодами диодов 4 и выходными шинами 8 Приводит к снижению уровня выходных сигналов О примерно на величину Ц прямого падения напряжения на одном из диодов 4. Уровень сигнала снижается при этом на

меньшую величину, равную У ..и

R + R V

где к - величина сопротивления одного из резисторов 5; R - входное сопротивление усилителя-формирователя сигналов считывания, которое обычно приблизительно равно R. В. результате соотношение выходных синалов О и существенно улучшается.

В ПЗУ, накопитель и адресный блок которого выполнень в интегральном исполнении, а информационная емкость накопителя равна 2О48 бит, установлены резисторы с величиной сопротивления 5 ком, максимальный уровень выходного сигнала О при отсутствии диодов достигает величины 0,9 В,, а минимальный уровень сигнала 1 - 1,35 В. При наличии диодов 4 максимальный уровень выходного сигнала О снижается до 0,3 В, а минимальный уровень выходного сигнала становится равным 1,05 В. Соотношение уровней с 1,5 возрастает до 3,5, а разность увеличивается с 0,45 до 0,74 В. При новом соотношении уровней сигналов существенно упрощается задача построения усилителей-формирователей сигналов считывания, улучшается помехозащищенность и надежность ПЗУ. Одновременно достигается и еще один положительный эффект, заключающийся в том, что при объединении одноименных выходов от нескольких диодных матриц на входе одного усилителя-формирователя сигналов . считывания наличие диодов 4 существенно уменьшает дополнительную емкость подключаемую к входу усилителя, благодаря чему сводится к минимуму снижение быстродействия ПЗУ при наращивании его информационной емкости.

фо-рмула изобретения

Постоянное запоминающее устройство, содержащее первые и вторые диоды, соединенные по матричной схеме, причем катоды первых диодов через резисторы соединены с анодами вторых диодов и анодами третьих диодов, аноды первых диодов подключены .к первым входным шинам, а катоды вто|)ых диодов соединены со вторьтки входными шинами, и выходные шины отличающеес я тем, что, с целью повышения помехозащищенности устройства за счет снижения уровня выходного сигнала О, в него введены четвертые диоды, аноды которых подключены к катодам третьих диодов, а катоды - к выходным шинам.

Источники информации, пртнятые во внимание при экспертизе

1.Брнк Е. А. Техника ПЗУ. М., Сове ское радио, 1973, с. 30-35.

2.Авторское свидетеп 1ство СССР № 556498, кл. Q 11 С 17/00, 04,03.75 (прототип).