СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО КАДМИРОВАНИЯ Советский патент 1970 года по МПК C25D3/26 

Изобретение относится к области нанесения электролитических покрытий, в частности к способам электролитического кадмирования.

Известеи способ электролитического кадмирования в электролите на основе сернокислых солей, кадмия, алюминия и аммония с добавкой столярного клея. Однако известный способ в ряде случаев не обеспечивает получения покрытий хорошего качества.

Предложенный способ устраняет указанный недостаток и позволяет получать мелкокристаллические беспористые покрытия с хорошей адгезией к основе. Используемый электролит обладает хорошей рассеиваюш,ей способностью.

По предлагаемому способу в электролит вводят диэтаноламиновую соль ундецнлфосфииоБой кислоты (ВНИИСИНЖ-67). Электролитическое кадмирование осуществляют в электролите, содержаш,ем, г/л: кадмий сернокислый 50 - 70; алюминий сернокислый 25 - 30; аммоний сернокислый 25 - 40; клей столярный 0,5-1,0; диэтаноламиновая соль ундецилфосфиновой кислоты (ВНИИСИПЖ67) -0,05 - 0,15 при dx 1 -2 а/дм2 и 20 - 40°С Аноды-кадмиевые.

/ОМ(СЛ40Н)„ Н-С„Н,зР(0)/ - (C,H4OH),

Получаемые при осуществлении способа кадмиевые покрытия имеют мелкокристаллическую структуру, светлые, матовые, с хорошей адгезией к основе, беспористые (пористость при испытании по ГОСТ 3265-46 не обнаружена;.

Скорость осаждения при плотности тока 1 - 2 а/дм-2 0,8- 1,6 ммк/.шт, выход по току 98 - 99,5%.

15

Предмет изобретения

Способ электролитического кадмирования в электролите, содержащем кадмий сернокислый, алюминнй сернокислый, аммоний сернокислый, клей столярный, отличающийся тем, что, с целью иолучеиия мелкокристаллических беспористых покрытий с хорошей адгезией к основе, в электролит вводят диэтаноламиновую соль ундецилфосфиновой кислоты (ВНИИСИНЖ-67) при соотношении комиоиеитов, г/л: , 3 Кадмий сернокислый50 -70 Алюминий сернокислый25 - 30 У ммоний сернокислый25 - 405 Клей столярный0,5 - 1,0 4 Диэтаноламиновая соль ундецилфосфиновой кислоты (ВНИИСИНЖ-67)0,05- 0,15 и процесс ведут при катодной плотности тока 1-2 a/dw и температуре 20- 40°С.