Изобретение относится к области производства радиотехнических материалов. Из;вестны сегнетоэлектрики на основе окислов бария, марганца и двуокиси титана. Сущность изобретения состоит в том, что в указанную шихту .введена окись алюминия, а исходные компоненты шихты взяты в следуюш,ем соотношении (в вес. %): ВаО33-31 МпО18-17 ТЮз48-46 АЮз1- 6 Это позволяет повысить тер.мостойкость керамики. Исходные компоненты в виде порош-ков, выпускаемых промышленностью, взятые в следующем соотношении ( вес. %): Углекислый барий53 Углекислый марганец21 Двуокись титана26, предварительно просушенные до постоянного веса, перемешиваются мокры.м способом в течение 24 час. Из высушенной до влажности 20-25% массы формируются кубики, и производится предварительный обжиг .материала при 1100°С. Спек сухим способом размалывается до удельной поверхности 4500- 5000 сж2/г. В полуфабрикат вводится окись алюминия в количестве 1-6% веса порошка. Введение окиси алюминия в количестве, большем 6%, приводит к снижению величниы ди|;8 ;,i{;feTgm электрической 1ТрШШйемопга--№ -ч йл енению диэлектрических свойств материала до полупроводниковых. Добавление окиси алюминия в количестве, меньшем 1%, ие дает увеличения термических свойств. Оформление образцов производится методом полусухого стрессования или методоим горячего литья под давлением. Окончательное спекание материала проводится в атмосфере увлажненного формиргаза с точкой росы 25- 30° при 1180-1200°С. Добавление окиси алюминия в -количестве 1-6% позволяет увеличить показатель термостойкости до 850-1100°, сегнетоэлектрические свойства материала при этом не снижаются. Диэлектрическая проницаемость при 20°С 870-2500, удельное объемное сопротивление 109-1010 ом-см. Предмет изобретения Сегнетоэлектрик на основе окислов бария, марганца и двуокиси титана, отличающийся тем, ЧТО, с целью повышения его термостойкости, в шихту упомянутого материала введена окись алюминия, а исходные компопенты шихты взяты в следующих соотношениях (IB вес. %):
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Шихта для изготовления керамического материала | 1981 |
|
SU952824A2 |
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК | 1970 |
|
SU263709A1 |
ШИХТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ | 2002 |
|
RU2259335C2 |
Керамический водородоустойчивый материал | 1977 |
|
SU631498A1 |
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ КАТАЛИЗАТОРА ДЛЯ КОНВЕРСИИ ПРИРОДНОГО ГАЗА | 1980 |
|
RU1067658C |
КАТАЛИЗАТОР ДЛЯ ОКИСЛЕНИЯ АММИАКА ДО ОКИСЛОВ АЗОТА | 1993 |
|
RU2106908C1 |
Керамический материал для изготовления конденсаторов | 1980 |
|
SU927785A1 |
Катализатор для конверсии углеводородов | 1979 |
|
SU882593A1 |
ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1971 |
|
SU420031A1 |
Шихта для получения керамического материала | 1975 |
|
SU543642A1 |
Авторы
Даты
1970-01-01—Публикация