СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК Советский патент 1970 года по МПК C23C14/30 

Изобретение относится к способу получения электропроводяш,их и диэлектрических пленок Б вакууме.

Из.вестен способ получения тонких пленок электропроводящих веществ путем испарения и ионизации паров осажденного вещества электронным пучком в вакууме с последующей конденсапией нейтралов и ионов на подложке, находящейся под высоким отрицательным потенциалом. Однако пленки, полученные по известному способу, обладают неудовлетворительным сцеплением с поверхностью подложки.

Для увеличения ионизации паров рабочего вещества и улучщения адгезии пленок с поверхностью нодложки но предлагаемому способу испарение и иопизацию рабочего вещества осуществляют в продольном магнитном и поперечном ио отнощению к электронному пучку электрическом нолях.

Схема, иллюстрирующая предложенный способ, представлена на чертеже.

Здесь ЭП - электронная пущка; / - подложкодержатель с напыляемой пленкой; 2 - электронный пучок; 5 - поток паров и ионов; 4 - магнитный экран, защищающий электронную -пушку от 1Продольного магнит ного поля HI камеры ионизации; 5.- стенки камеры ионизации (анод); 6 - стержень испаряемого

вещества; Н-2 - вспомогательное поперечное магнитпое поле.

Магнитный экран заземлен; потенциал стенок разрядной камеры 200 в, потенциал подложкодержателя равен 5 кв; напряжение продольного магнитного поля HI возрастает в области расположения стержня и составляет 200 э. Папряженность вспомогательного поперечпого магнитного поля Яа 50 э. Магнитное поле искривляет траекторш электронов и увеличивает коэффициент ионизации рабочего вещества.

Способ состоит в следующем.

Электронный пучок с источника электронов фокусируется на стержень и в месте попадания доводит его температуру до температуры испарещш. Па пути к подложке испаряющееся вещество ионизируется электронным ударом.

Электронный нучок взаимодействует с образующейся плазмой, в результате чего развивается пучковоплазменная неустойчивость в скрещенных полях, нриводящая к новыщению коэффициента ионизации.

При давлении паров в разрядной камере 10 мм рт. ст. вспыхивает пучковоплазменный разряд в скрещенных полях, коэффициент в которых может приближаться к 100%. Таким образом, к подложке движется поток атомов, ионов и электронов. Ионы внедряются в подложку, образуя центры конденсации и обеспечивает высокую адгезию. Наличие быстрых электронов в разряде обеспечивает нейтрализацию поверхностного заряда ионов при осаждении на диэлектрическую подложку. Попадание неионизированных атомов на подложку совместно с ионами обеспечивает высокую скорость осаждения, равную скорости термического испарения. 4 Предмет изобретения Способ получения электропроводящих и диэлектрических тонких пленок путем испареНИН и ионизации паров осажденного вещества электронным пучком в вакууме, с последующей конденсацией иаров на подложке, отличающийся тем, что, с целью увеличения ионизации паров и улучшения адгезии пленок с поверхностью подложки, процесс осуществляют в продольном магнитном и поперечном но отношению к электронному пучку электрическом полях.