ВСЕСОЮЗНАЯ Iшштш-]:х:;г:гилй1 Советский патент 1971 года по МПК G03G5/85 

Изобретение относится к электрофотографическим материалам.

Известны электрофотографические пластины, содержащие фотополупроводниковый слой стекловидного селена, нанесенного на жесткую подложку, выполненную в виде пластины или цилиндра. Для увеличения производительности электрофотографических машин в них применяют электрофотографические слои, нанесенные на гибкую подложку в виде ленты. При изгибании такой подложки происходит отслаивание фотополупроводникового слоя.

Предлагаемаяэлектрофотографическая

пластина обладает улучшенной адгезией между фотополупроводниковым слоем стекловидного селена и гибкой подложкой и имеет высокие физические и механические свойства.

Электрофотографическая пластина состоит из гибкой подложки, адгезионного слоя н стекловидного селена. В качестве подложки используется металл, например алюминий, латунь, нержавеющая сталь, медь, никель, цинк; стекло, покрытое электропроводящими материалами, например окисью олова, окисью индия, металлическим алюминием, пластик с аналогичными покрытиями; бумага, пропитанная химикалиями или кондиционированная для придания ей электропроводности.

Подложка должна иметь удельное электрическое сопротивление не более 10 ом см.

На тщательно очищенную поверхность подложки наносится тонкий (от 0,1 до 5,0 мк)

слой адгезионного материала. В качестве последнего используются замещенные силилизобутилэтилендиамины, например к-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин, н - триметоксисилилизобутилэтилендиамин, н-диэтоксиэтилсилилизобутилэтилендиамин и другие соединения этого ряда.

Наилучшими адгезионными свойствами по отношению к фотополупроводниковому слою и подложке обладает клеевой состав на основе н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина, который входит в клеевую композицию в количестве 2 вес. ч., а 1 вес. ч. приходится на гамма-метакрилоксипропилтриметоксисилан или винилтриацетоксисилан.

В качестве .фотополупроводникового -слоя на адгезионный слой наносится селен и его сплавы, например селенид кадмия, селенид теллура и другие, и смеси мышьяка и селена. Селен может содержать сенсибилизирующие

добавки. Толщина фотополупроводниковогг слоя находится в пределах от 10 до 200 мк

ропроводящего материала, и фотополупроводниковый слой селена, отличающаяся тем, что, с целью исключения отслаивания фотополупроводникового слоя и улучшения его физических и механических свойств, пластина включает промежуточный адгезионный слой, находящийся между упомянутыми слоями и содержащий замещенный силилизобутилэтилендиамин.

2.Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит к-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин.

3.Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит н-триметоксисилилизобутилэтилендиамин.

4.Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит 2 вес. ч. н-диметоксиметилсилилизобутилэтИ лендиамина и 1 вес. ч. гамма-метакрилоксинронилтриметоксисилана.

5.Пластина по н. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит 2 вес. ч. н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина и 1 вес. ч. винилтриацетоксисилана.

6.Пластина по л. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой имеет толщину от 0,1 до 5,0 мк.

7.Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что фотополупроводниковый слой имеет толщину

от 10 до 200 мк.