Изобретение касается материалов ис пользуемьк в радаоэлектроникее а именно |к керамическим диэлектрикам.
Извеотны керамические диэлектрики с управляемой емкостью на основе тверяьк растворов Pfe (Fe 1/2 Та 1/2) О «. Ра.
(Ье 1/2 Wi i/2) О,,
Одаако диэпектричёская проницаемость керамических диэлектриков при комбшфйбй температуре составляет 7ООО 0 fjeHeeg, а коэффициент нелинейности Д ТэЛбК1фнческой проницаемости (или емкости) в сг««идающих электрических полях составляет на 1 КБ/СМ. Кроме того, увеличение содержа
кия Pi, (Fe l/2Nbl/2)O у уданает элект о.
рическую прочность материала,
Цель изобретения повышение значений Электрической прочности и даэлектричаской (проницаемости, увеличение температурной стабильности .диэлектрической пронии емост |И величины нелинейности диэлектрической |пронкцйемостн .при воздействии электричес кого ПОЛЯ на материал..
Это достигается тем, что керамический
| aтepиaл содержит
(Pb,XBa,HTi,,jO,
о. .
где X ж Oj02-6,95, и окись лития в копичес1В0 1-1ОЗ олярных сверх стехиометрического состава,
Кроме того, в керамическом материале |барий может быт даменен кальцием или йзтрондием при1 ,,2 .
%
Пример. Керамический диэлектрик с управляемой емкостью состава (8аО, 9Р.60, 1)(ГШ, .OSNfe, 005 )0j 5% моли получают следующим образом.
Для получения 100 г диэлектрика готовят шихту, состоящую из следующи: комлонентов, г:
Рб.СО
11,19
303920
з:4
- 73 27: и чающийся тем, что, с целью по3 вышвния значений электрической прочнос ти Т50 30,26
2 - диэлектрической проницаемости, увелттче jCO 1,53иия температурной стабильнссти диэлектриПсххпе прйгото&пенияШИХТЫ IB 1 агатовых .5 - проницаемости и величины нелинейшаровых мельницах или вибрОмелъницах) иности диэлектрической проницаемости при
нее изготовляют брикеты, которые подаер- oздёйcтвии электрического поля на указан-i
.гают обжигу .при 850 С в течение 2 час., матерная, он содержит
Йатем брикеты измчль ют в порошок с раз- ....
мером частей (6 3-5 м, добавляют растворш (РЬ,-).8a,,}(Ti,e мь
поливинилового спирта в качестве связки,22
..хч«сх.уют издалш..С«россо ашц где xV 0.02-0.95, и сжнсГ литня в колипомешают в пень и,опекают при 11ОО t. молярных свфх стехиометри-:
«чение 1-1-5 ««1 ° «Ыратуры и охлаждения 20О-ЗрО С/яас.
Электрода наносят вжиганием серебра при2 Керамический материал по пункту 1.
750-800 С,в течение 15-30 .. . .|О а;личаюшийся тем, что в нем
Ф о р м.У .Jt.®. .,.п „ готовлен- барнй заменен кэдышем или стронцием, а
Г .Керамический материал, в.20 iv к О О2-О 2
ИЫЙ на основе феррониобата свишха. о т .X 0,О2-О.2,
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
КЕРАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИК | 1972 |
|
SU325640A1 |
НЕЛИНЕЙНЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИК | 1970 |
|
SU262201A1 |
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала | 1976 |
|
SU555074A1 |
Способ получения порошков фаз твёрдых растворов системы 0,75BiFeO-0,25Ba(ZrTi)O, легированных соединениями марганца | 2022 |
|
RU2787492C1 |
Нелинейный диэлектрический элемент | 1982 |
|
SU1057993A1 |
Пьезоэлектрический керамический материал | 1978 |
|
SU791700A1 |
ЖИДКИЙ КОМПОЗИТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК | 2015 |
|
RU2593271C1 |
СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНТЕННЫ И ЕЕ УСТРОЙСТВО | 2004 |
|
RU2264005C1 |
Пьезоэлектрический керамический материал | 1982 |
|
SU1030344A1 |
Керамический материал | 1983 |
|
SU1086463A1 |
Авторы
Даты
1976-04-25—Публикация
1969-08-11—Подача