Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала Советский патент 1977 года по МПК C04B35/497 C04B35/01 H01G4/12 

1

Изобретение относится к керамическим материалам обладающим сегнетоэлектрическими свойствами и предназначенным для применения в качестве диэлектрика в электрически управляемых мощных высокочастотных каскадах радиосвязанной аппаратуры.

Известен сегнетоэлектрический материал, содержащий следующие сжслы, вес. %: РЬО 68,08; NbjO; 27,18; McjO3,45; NiOO,07; ZnO 1,23.

Недостатком известного материала является узкий температурный интервал возможного применения от 20° С до 80° Со

Известна также шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала, содержащая следующие компоненты, вес. %: РЬО 66,84-67,35; N520; 26,53-26,74; МдО 1,01-2,03; N10 0,41-1,64; ZnO 2,25-5,22. Однако верхний предел рабочего температурного интервала этого материала не превыщает 80° Со

Цель изобретения - повышение верхней границы температурного рабочего интервала материала.

Для этого предлагается шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала на основе твердых растворов РЬзМд Ь- Од - PbsNiNbjOg -

РЬз ZnNbj Од, содержащая указанные компоненты в

следующем соотнощении, вес. %:

РЬО66,50 - 67,02

Nb-20s26,52-26,75

МдО2,51 - 2,93

N101,50- 2,24

ZnO1,82- 2,23

Исходные компоненты щихты смепшвают и

измельчают в щаровых мельницах с агатовыми барабанами и щарами в среде этилового спирта в течение 8-10 час (до полного прохождения через сито N™ 0056) о После высупжвания при 120° С-150° С щихту прессуют в брикеты и подвергают первому обжигу при 900° С с вьщержкой при этой температуре в течение 2 час. Затем .брикеты измельчают и размальшают повторно. После помола из просущенной массы при удельном давлении 900-1000 кг. см прессуют заготовки конденсаторов в виде дисков и чащек Второй обжиг проводят при 1150° С с вьщержкой при этой температуре до 1 час. Обжиг проводят в защитной атмосфере, предотвращающей потери РЬО.

Примерньш состав предлагаемой шихты может

содержать следующие компоненты, вес. %:

66,85

26,75

2,71

1,87

1,82 После двух обжигов получают материал следующего стехиометрического состава, вес. %: PbsMgNbiOg 0,55, РЬз NiNbjOg 0,25, РЬз ZnNb,. Од 0,20, содержащий сверх стехиометрии, вес. %: 0.5 MgO и 0,2 ZnO. На заготовки конденсатора поотс ишифовки наносят электроды методом сжигания серебряной пасты при 800° Со Полученный керамический материал имеет следующие диэлектрические свойства на частоте 1 мГц в интервал температур от 10° С до 110° С. Тангенс угла диэлектрических потерь tg5 102:при10°Сгд5 9- при 110°С tg5 2.la коэффициент управления диэлектрической проницаемости при управляющем поле Еу 70 кв см К 2; температурный коэффициент диэлектрической проницаемости находится в пределах: -6 10 ТК& +3.10 4) электрическая прочность материала относительно управляющего поля Еу

CM

160кв

Enp 140.

Таким образом, из предлагаемой шихты можно керамический материал для электрически управляемых ВЧ- каскадов с рабочим температурным интервалом от 10° С до 110° С, Формула изобретения Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала на основе твердых растворов системы PbjMgNBjO, - PbaNiNbjOg - PbзZnNb209,включаюЦдая PbO, Nb2Os, MgO, NiO, ZnO, отличающая с я тем, что, с целью повьпления верхней границы рабочего температурного интервала, она содержит указанные компоненты в следующем соотнощении, вес. %: РЬО66,50 - 67,02 NbjOs26,52-26,75 MgO2,51 - 2,93 N101,50- 2,24 ZnO1,82- 2,23