АН СССР и Красноярскийполитехнический институт Советский патент 1971 года по МПК H01G9/42 

Изобретение относится к области изготовления радиоэлементов - конденсаторов, применяемых в радиоприборостроении и электронике, а именно, к способам изготовления оксидно-полупроводниковых тапталовых конденсаторов.

Известен способ образования оксидной пленки и нолупроводникового слоя двуокиси марганца в таких конденсаторах, при котором танталовые аноды формуют в кислотном электролите, например в растворе ортофосфорной кислоты, а затем на поверхности заформоваппых танталовых анодов образуют слой двуокиси марганца путем пиролиза азотнокислого маргаица. Однако при пиролизе, вследствие одновременного воздействия паров воды и окислов азота, пленка частично разрушается, отчего ток утечки конденсаторов увеличивается. Для уменьшения тока утечки оксидную плепку формуют при напряжепиях, в 3-4 раза больше поминального напряжения конденсаторов, а также несколько раз чередуют операции формовки и пиролиза. Однако при этом уменьшается удельная емкость конденсаторов, кроме того, образующийся при пиролизе слой двуокиси марганца имеет пористую структуру, что ведет к увеличению диэлектрических потерь конденсатора.

Цель изобретения - увеличение удельной емкости и уменьшение диэлектрических потерь оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Для этого формовку ведут в азотнокислом марганце, нагретом до 60°С, в режиме постоянного тока плотпостью не мепее 0,1--0,4 ма па I см формуемой поверхности, где и - максимальпое папряжеппе формовкн, которое берут в 2-2,5 раза больше поминального напряжения конденсаторов. Затем нри установившихся ностоянны.ч значениях напряжения и плотпости тока в том же электролите осаждают полупроводниковый слой двуокиси марганца требуемой толщины. Заформованные и покрытые двуокисью марганца аноды извлекают из электролита, промывают и высушивают, после чего опи готовы к следующей операции образовапия наружного нроводяш,его слоя.

Предмет п з о б р е т е п и я

Способ изготовления оксидно-полупроводпиковых тапталовых копдепсаторов, основанный на образовании оксидного слоя формовкой танталовых анодов в кислом электролите и получения полупроводникового слоя двуокиси марганца, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельной емкости и умень3 , танталовых анодов производят в азотнокислом марганце в режнме ностоянного тока плотиостыо не менее 0,1--0,4 ма на 1 формуемой новерхности, где U - максимальное нанряженне формовй в вольтах, которое5 4 , берут в 2-2,5 раза выше поминального нанряжения конденсаторов, а затем нрн указанном напряжении в том же электролите осаждают полупроводниковы слой двуокиси марганца требуемой толищны.