ел
4
X
Изобретение относится к изготов лению оксидно-полупроводниковых конденсаторов,для радиоэлектроники
Известен способ изготовления анода оксидно-полупроводникового конденсатора, включающий нанесение на предварительно, оксидированную объемно-пористую поверхность тантала полупроводникового слоя диоксида марганца методом пиролиза соли азотнокислого MapraHt a в сочетании с электрохимическим способом LI 3.
Однако данный способ изготовления анода не обеспечивает хорошей адгезии слоя двуокиси марганца к предварительно окисленной поверхности вентильного металла, требует многократного повторения многооперационного способа термического разложения соли азотнокислого марганца в сочетании с последующей операцией подформовки диэлектрического слоя из оксида вентильного металла и препятствует проведениго автоматиза}дии процесса изготовления ок сидно-полупроводниковых конденсаторов.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ изготовления анода оксидно-полупроводникового конденсатора, включающий электрохимическое нанесение полупроводникового слоя диоксида марганца на поверхность вентильного металла и послед лощую формовку его в электролите С23,
Диоксид марганца наносят электрохимическим способом из водного раствора перманганата калия и серно кислоты при 90°С и катодной поляризции с плотностью тока 5 мА/дюйм в течение 30 мин, а затем в 10%-иом растворе борной кислоты при анодной поляризации с плотностью тока 5 мА/дюйм и температуре электролита проводят формовку анода с целью создания диэлектрического слоя между вентильным металлом и нанесенным на него слоем двуокиси марганца, затем процесс а.нодной и катодной поляризации повторяют. I.
Недостатком известного способа является небольшая адгезия двуокиси марганца к основе объемно-пористого анода за счет наводороживания поверхности вентильного металла, приводящего к охрупчиванию вентильного металла, преждевременному разрушению анода и выходу из строя конденсатора .
Цель изобретения - повышение адгезии диоксида марганца к поверхности металла. .
Указанная цель достигается tSM, что согласно предлагаемому способу
электрохимическое нанесение полупроводникового слоя диоксида марган ца осуществляют из расплава кристаллогидрата нитрата марганца при температуре ЗО-ЗЗ С и катодной поляризации анода, с плотностью тока 70-80 мА на 1 г массы вентильного металла в течение 15-20 мин, а перед формовкой поверхность обрабатывают водным раствором перекиси водорода с концентрацией 0,001-0,005 об.% в течение 15-20 с.
- При электролизе кристаллогидрата нитрата марганца на анод осаждается гидроокись марганца, и при обра5 ботке ее перекисью водорода гидроокись переходит в двуокись марганца.,
Пример. Для изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора с объемно-пористым анодом из вентильного металла, в частности тантала, берется электрод стандартных размеров в форме цилиндра (диаметр основания 5,6 мм, высота 10 мМ), который приготовлен по известной и общепринятой заводской технологии Затем этот электрод (будующий анод конденсатора) обез-:. жиривают, сушат и опускают в электролитическую ячейку из графита с расплавом кристаллогидрата нитрата марг.анца при 30 - (оптимальная температура расплава 32°С). Объемно-пористый аяод подключают к отрицательнбму полюсу источника питания электролитической ячейки, а графитовую ячейку к положительнг 1у полюсу, и электролиз ведут в гальваностатическом режиме при катодной поляризации объемно-пористого анода с плотностьй ijOKa 70 80 Mft на 1 г массы вентильного металла (оптимальная плотность тока 75 мА на 1 г) в течение 15 - 20 мин
(оптимальная продолжительность порядка 17 мин), когда через объемнопористый анод за время электролиза проходит около 125 Кл на 1 г массы вентильного металла. После этого
анод погружают на 15 - 20 с в водный
раствор перекиси водорода с концентрацией 0,001 - 0,005 об. %. Полный цикл обработки анода повторяют трижды. В заключение анод формуют для создания диэлектрического слоя пентаксида тантала на повехности объемно-пористого анода под слоем двуокиси марганца. Формовку выполняют в этом же расплаве или в известных электролитах известным способом
вначале в гальваностатическом, а затем в вольтстатическом режимах. Продолжительность обработки в гальваностатическом режиме определяется достижением заданного напряжения формовки, а в вольтстатическом режиме .остаточным током, определяющим ток
утечки.
Конденсаторы, изготовленные из
:анодов по предлагаемому способу, имеют параметры:
на рабочее напряжение б В - емкость 97 - 104 мкФ, ток утечки 0,5 1,2 мкА. t сЛ 2,2 - 2,5%; иа рабочее напряжение 30 В - емкость 29,5 31,0 мкФ, ток утечки 1,0 - 1,2 мкА, t(,7 - 2,0 %.
Использование изобретения позволяет улучшить адгезию двуокиси мар.ганца к поверхности анода, исключить наводороживание основы анода, имеющее место в известноч технологии изготовления конденсаторов. Кроме
того, по сравнению с технологией изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов с использованием пиролиза соли нитрата марганца, который может служить в качестве базового объекта, предлагаемый способ полиостью исключает процесс пиролиза и позволяет решить вопрос о комплексной механизации изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов с применением средств автоматизации и поточной автоматической линии. Применение изобретения позволяет примерно втрое сократить время на изготовление единицы продукции, уменьшить расход электроэнергии и электролита.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА | 1992 |
|
RU2061976C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ ДИОКСИДА МАРГАНЦА НА ТАНТАЛОВЫХ АНОДАХ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 2020 |
|
RU2740516C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ КОНДЕНСАТОРА И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОНДЕНСАТОР | 2011 |
|
RU2463679C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА | 2005 |
|
RU2284070C9 |
Способ изготовления малоизнашиваемого анода | 1981 |
|
SU1068543A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА | 2012 |
|
RU2516525C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА | 2011 |
|
RU2480855C1 |
Способ изготовления конденсаторов с оксидным диэлектриком | 1980 |
|
SU890463A1 |
Способ изготовления алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора | 1982 |
|
SU1084907A1 |
Способ создания диэлектрической пленки анода высоковольтного танталового конденсатора и конденсатор с твердым электролитом и рабочим напряжением до 125 В включительно | 2023 |
|
RU2821335C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АНОДА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий электрохимическое нанесение полупроводникового слоя диоксида марганца на поверхность вентильного метешла и последующую формовку его в электролите, отличающийся тем, что, с целью повьтюния адгезии диоксида марганца к поверхности металла, электрохимическое нанесение полупро-водникового слоя диоксида марганца осуществляют из расплава кристаллогидрата нитрата марганца при температуре и катодной поляризации анода с плотностью тока 70-80 мА на 1 г массы вентильного металла в течение 15-20 мин, а перед фоцжювкой поверхность обрабатывают водным раствором перекиси водорода с концентрацией 0,001-0,005 об. % в течение 15-20 с.|
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Устройство двукратного усилителя с катодными лампами | 1920 |
|
SU55A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Способ получения фтористых солей | 1914 |
|
SU1980A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Патент QTJA 3254390, кл | |||
Солесос | 1922 |
|
SU29A1 |
Способ получения фтористых солей | 1914 |
|
SU1980A1 |
Авторы
Даты
1983-11-15—Публикация
1981-12-29—Подача