СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ RC-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Советский патент 1971 года по МПК H05K3/10 

Изобретение относится к технике получения RC-интегральных схем, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.

Известен сиособ изготовления RC-интегральных схем, основанный па поочередном нанесении иа керамическую подложку элементов схемы на основе тантала и технологического слоя из алюминия и использующий электроинолучевой метод панесепия тантала с последующим оксидированием.

Целью изобретения является получепие малогабаритных низкочастотных интегральных схем и обеспечение иадежной защиты алюминия ири оксидировании. Это достигается тем, что в качестве защптиого слоя используют окись германия.

Первоиачально на керамическую подложку через механическую маску с конфигурацией иижней обкладки коиденсатора электроннолучевым методом наносят тантал с удельным сопротивлением 10-20 ом/кв. Затем-через механическую маску методом термического испарения на подложку осаждают технологический слой алюминия и через ту же маску осаждают слой окиси германия. Слой алюминия наносят таким образом, чтобы он соединял все участки тантала между собой и защищал одновременно выводы нижних обкладок конденсаторов от окисления во время оксидирования. Слой окиси гермаиия наносят с целью обеспечения надежной защиты алюминия, который во время оксидирования без защитного слоя отслаивается с подложки. Все три слоя: Та, А1 и GeO могут быть наиесены без нарущения вакуума. На следующем этапе участки тантала подвергаются анодному окислению. В результате этого образуется слой окиси тантала Та2О5 являющейся диэлектриком конденсатора. Затем алюмиииевую маску стравливают, и через механические маски иоследовательно напыляют резисторы из МЛТ и кермета, контактные площадки и вторые обкладки конденсаторов.

15

Предмет изобретения

Способ изготовления RC-интегральных схем, основанный на поочередном нанесении на керамическую иодложку элементов схемы на основе тантала и технологического слоя из алюминия и использующий электроннолучевой метод нанесения тантала с последующим оксидированием, отличающийся тем, что, с целью

получения малогабаритных низкочастотных интегральных схем и обеспечения надежной защиты алюминия при оксидировании, в качестве защитного слоя используют окись германия.