СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Советский патент 1972 года по МПК H01G4/20 

Изобретение относится к области радиоэлектроники Н может быть исиользоваио нрн нзготовленни иолуироводииковых ирнборов, интегральных схем и иленочиых м.икрокондеисаторов.

Известны сиособы изготовления диэлектрических иленок на основе окисла металла п кремнезема. Ири этом сиособе иа изготовление иленок затрачивается миого времени и не удается нолучить беснористые .

Целью изобретеиия является сокран1ен е времен 1 нолучения беснористого пленочного слоя.

Согласно нредложенному снособу, диэлектрические пленки получают наиесеннем на нолунроводниковую пластину пленкообразующего раствора, состояи1его из смеси кремнеэтнлового эфира ортокремниевои кислоты с простыми спиртами, в которую В1юдят азотнокислую соль металла III rpyiHibi иериоднческоГ таблицы. После этого иод1 ерга1от термодеструкции при температуре 700-800°С в течение 30-60 сек.

Способ иоясияется нримерамн.

Пример 1. Стекловидную днэлектрнческую пленку, содержащую 25 вес. % и 75 вес. % ЗЮз, получают путем нанесення пленкообразующего раствора, содержащего:

этиловый спирт или смесь его с

бутиловым спиртом36,5 мл

дистпллировапиую воду3,5 мл

азотиокислый иттрий

(КОз)з-6М203,07 г

и иоследуюн1ей термодеструкцин нленки прн 800°С.

П р п м е р 2. Стекловндпую диэлектрическ ю иленку, содержап1ую 25 вес. % АЬОз и 75 вес. % SiOo, получают из пленкооб|)азуюHtero раствора такого же состава, как в прп.мере 1, в котором иттрпй замепеп на 6,62 г азотнокислого алюмниня А1 (КЮз):)-9П2С).

П р и .м ер 3. Стекловидную диэлектрическую иленку, состоян1ую нз 25 вес. % 5с20,ч и 75 вес. % SiOo, готовят нз раствора, содержащего те же составляющие, что п раствор в прпмере 1, по в качестве азотнокислой солн берут 395 г 5с(КОз).ч-4Н2О.

П р и мер 4. Для диэлектрической пленки, содержап1ей 25 вес. % La2O:i п 75 вес. % SiO, 25 берут 2.67 г азотнокислой солп Ьа(ЫОз)зХ Х6П2О.

При м е р 6. Для диэлектрической пленки, содержащей 33,4 вес. % Nd2O3 и 66,6 вес. % SiaOs, берут Nd(NO3)3-6H2O 3,51 г.

Пример 7. Для диэлектрической илеики, содержащей 33,4 вес. % 5т2Оз и 66,6 вес. %

% 5т2Оз и SiO,, берут 5т(ЫОз)з бЬЬО 3,43

При м е р 8. Для диэлектрической нлеики, содержащей 34,9 вес. % ОбгОз и 65,1 вес. % SiO2, берут Gd(NO.3)36n2O 3,61 г.

Пример 9. Для диэлектрической иленки, содержан1ей 49 вес. % Tb.iO7 и 51,0 вес. % SiOo, берут ТЬ(КОз)з-6П2О 3,16 г.

Пример 10. Для диэлектрической илеики, содержан1.ей 35,5 вес. % и 64,5 вес. % SiO2, берут Оу(ЫОз),,-5Н2О 3,47 г.

Пример 11. Для диэлектрической нлеики, содержащей 36 вес. % 1:г2Оз и 64 вес Si02, берут Ег(КОз)з-6П2О 3,67 г.

Пример 12. Для диэлектрической иленки, содержащей 36,9 вес. % УЬзОз и 63,1 вес. % SiOa, берут Ь(МОз)з-4Н2О 3,47 г.

Полученные пленки имеют толщину 0,1 - 0,3 мк, неравномерность но толидине составляет rfclOOA.

Предмет изобретения

Способ изготовления диэлектрических иленок на осиове окисла металла и кремнезема, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени иолучения бесиористого пленочного слоя, диэлектрические нленки получают нанесением на нолупроводииковую пластину илеикообразуюп1.его раствора, состоящего кз смеси кремнеэтилового эфира ортокремниевой кислоты с простыми сниртами, в которую вводят азотнокислую соль металла П1 группы периодической таблипы с последующей термодеструкцией нлеики при 700 800°С в течение 30- 60 сек.