СПОСОБ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ Советский патент 1973 года по МПК G03G13/04 G06K13/04 

1

Изобретение относится к способу электрографической записи информации на носитель с фотополупроводниковым слоем.

Известны способы электрографической записи, использующие перенос изображения через воздушный зазор на диэлектрическую поверхность. Эти способы дают возможность разделить функцию светочувствительности и памяти, которые обычНо выполняет фотополупроводниковый слой, и тем самым обеспечивают возможность применения более иизкоомных и более фоточувствительных фотополупровод нкков.

Запись по предлагаемому способу осуществляется S устройстве, состоящем из фотополупроводникового слоя и диэлектрического слоев, нанесенных на проводящие подложки, и разделенных газовы.м зазором. Одна из проводящих подложек выполнена оптически прозрачной. Если к проводящим подложкам подключить источник «апряжения, то при достаточно большом напряжении з газовом промежутке возникает таунсендовский разряд, во время которого на слои осаждаются заряды противоположных знаков и одновременно на фотополупроводник воздействует световое излучение этого разряда. Коэффициент накопления заряда К(Ефо) показывает, как происходит .накопление заряда на поверхности фотополупроводника, когда из газового промежутка на него осаждаются заряды и одновременно действует световая радиация разряда. Этот коэффициент зависит от напряженности поля в зоне генерации, которая определяется

в основном поверхностным зарядом фотополупроводника, так каК количество зарядов, покидающих зону генерации фотополупроводникового слоя, зависит не только от интенсивности светового излучения, но и от вероятности

разделения пар электрон-дырка, которая, в свою очередь, определяется напряженностью поля в зоне генерации. При К-о весь заряд, подошедший к фотополупровадниковому с.тою из газового промежутка, остается на его поверхности, что возможно только при равенстве нулю напряженности поля фп в зоне генерации.

С ростом фп коэффициент К увеличивается и при некоторой напряженности поля кр.

достигает значения, равного 1, когда все осевшие на слой заряды из воздушного промежутка компенсируются носителями из зоны генерации. Дальнейшее увеличение подводимого к проводящим подложкам напряжения не может привести к увеличению поверхностного заряда на фотополупроводниковом слое, так как в этом случае коэффициент накопления заряда был бы больше 1, т. е. число носителей, подходящих к поверхности из зоны генерации, было бы больше числа носителей,