ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОSCixTFsf?!•' L. Советский патент 1972 года по МПК G11C11/14 G11C27/00 

Магнитопленочные запоминающие устройства известны. Для переключения запоминающих элементов используются плоские числовые и разрядные шины, проложенные во взаимно перпендикулярных направлениях.

В известных Л1агаитопленоч1ных запоминающих устройствах вследствие емкостной связи между числовыми и разрядными шинами характерен высокий уровень адресных помех на входе усилителя считывания. Компенсацию помех осуществляют с помощью прокладки компенсадионных разрядных шин над участками матрицы, не содержащих запонимающих элементов.

Компенсационные разрядные щины, не охватьшающие запоминающих элементов, занимают половину площади матрицы. Плотность запоминающих элементов, таким образом, оказывается ниже возможной в два раза. Вследствие этого для построения накопителя заданнего информационного объема требуется в два раза «больше матриц, что увеличивает стоимость устройства и усложняет сборку.

Предлагаемое устройство позволяет вдвое увеличить плотность расположения заломинающих элементов в матрице, что достигается перемещением компенсационных разрядных шин на запоминающие элементы и добавлением дополнительных компенсационных шин. На высвободившейся от вспомогательных разрядных щин площади матрицы располагаются запоминающие элементы.

На чертеже изображено предлагаемое запоминающее устройство.

Оно состоит из полупроводникового дифференциального усилителя считывания /, накопителя 2, содержащего тонкопленочные матрицы, формирователей записи 3. Поверх запоминающих элементов матриц расположены рабочие разрядные шины 4 и отделенные небольшим зазором в той же плоскостн, что и рабочие шины, компенсационные разрядные шины о. Перпендикулярно к этим шинам над запоминающими элементами проходят числовые шины 6, поверх которых располагаются дополнительные компенсационные шины 7. Ширина шины 7 равна суммарной пшрине шин 4 и 5.

Импульс числового тока создает на выбранной числовой шине 6 падение напряжения. Часть числового тока через емкость элементарных конденсаторов, образованных пересечением числовой и разрядных шин ответвляется в разрядные шины. Так как шины 4, 5, 7 расположены на одинаковом расстоянии от числовой шины 6, то емкость шины 7 относительно шины составляет + Сз, где С2, Сз - соответственно емкости шин 4 м 5 относительно шины 6. Ток /I, поступивший через емкость С) на шину 7, создает на сопротивлении на