ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО2 . Советский патент 1972 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к области заиоыинающих устройств.

Известно запоминающее устройство (ЗУ), содержащее тонкие пленки из анизотропного магнитного материала, размещенные между ортогональными словарными и разрядными проводниками, пластину из мягкого магнитного материала с бороздками, расположенными ортогонально словарным проводникам, причем в каждую из бороздок помещен разрядный проводник.

Недостатком 1известного ЗУ является значительное взаимное влияние запоминающих элементов, образованных участками тонких пленок, расположенными в перекрестиях словарных и разрядных проводников, что приводит к снижению надежности известного ЗУ.

Описываемое ЗУ отличается от известного тем, что в нем тонкие пленки выполнены в форме лент из магнитного материала, ось легкого намагничивания которого ориентирована вдоль длины лент, словарные проводники выполнены в форме лент из немагнитного проводящего материала и размещены на лентах из магнитного материала.

Указанные отличия позволяют повысить надежность устройства.

териала к ширине каждой бороздки равны.м 3/2, а отношение ширины каждой бороздки к расстоянию между лентами - равным 1/3, что позволяет упростить устройство.

На чертеже изображен общий вид накош теля предложенного ЗУ, причем пластина из мягкого магнитного материала показана отделенной от остальией его части (для большей наглядности).

В накопитель ЗУ входят металлическая немагнитная подложка 1, покрытая изолирующим немагнитным слоем 2, на который нанесены ленты 3 из магнитного материала, ось легкого намагничивания которого ориентирована вдоль лент. Ленты 3 могут быть изготовлены, например, из сплава никеля и железа, в

отношении 4:1, толщиной, например, 1000 .4. Каждая лента покрыта металлическим проводящим слоем 4, служащим в качестве словарного проводника. Этот слой может быть мбдным и иметь толщину около 5 мк. На описанную выше структуру накладывается пластина 5 и.з мягкого магнитного материала. Разрядные проводники 6 размещены в бороздках 7 пластины 5, например, вклеены в них. Запоминающие элементы 8 образованы участками лент.5; расположенными в перекрестиях словарных 4 и разрядных 6 проводников.

информации в описанном ЗУ аналогичны т&ы же процессам в известных ЗУ.

Пред м € т Изобретения

1. Запоминающее устройство, содержащее тонкие пленки из анизотропного магнитного матер1иала, размещенные между ортогональными словарными и разрядными проводниками, пластину из мягкого магнитного материала с бороздками, расположенными ортогонально словарным проводникам, причем в каждую из бороздок помещен разрядный проводник, отличающееся тем, что, с целью повыщения надежности устройства, тонкие пленки выполнены в форме лент из магнитного л атериала, ось легкого намагничивания которого ориентирована вдоль длины лент, словарные проводники выполнены в форме лент из немагнитного проводящего материала и размещены на лентах из магнитного материала.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, отношение расстояния между бороздками пластины из мягкого магнитного материала к ширине каждой бороздки выбрано равным 3/2, а отношение ширины каждой бороздки к расстоянню между лентами выбрано равным 1/3.

,-- I ,;„,1 I

.

/1. Т n ГТ-

. jg .

L