РЕГИСТР СДВИГАПйТЕН t iiu* Ii:AJi г.: .:- ?:.a\! Советский патент 1972 года по МПК G11C19/28 

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к регистрам сдвига.

Известны регистры сдвига, выполненные на туннельны.ч диодах и транзисторах сброса.

Однако быстродействие и надежность известных регистров сдвига ограничиваются из-за наличия реактивных компонентов, так как уменьшение их (для уменьшения ииерцнонлости цепей промежуточного запомииания) ведет к резкому увеличению критичности схемы к параметрам импульсов, к разбросу компонент и уменьшению стабильности их работы. Кроме того, ограничение обусловлено наличием транзисторного инвертора нотенциального сигнала независимо от его конкретных функций в схеме. При работе инвертора потенциального сигнала возможен режим насыш,ения транзистора, что приводит к усложнению схемы и умеиьшению ее надежности. При циркуляции кодов, близких к нулевым, в известных регистрах туннельные диоды переключаются дважды на каждый тактовый импульс, в результате чего уменьшается быстродействие и надежность работы.

С целью повышения быстродействия и надежности работы в каждый разряд предлагаемого регистра введен пороговый элемент на транзисторе и туннельном диоде, причем катод туннельного диода соединен с эмиттером

транзистора, коллектор которого соединен с основной шиной синхронизации, база транзистора через диодно-резистивную цепочку нодключена к выходу триггера и коллектору транзистора сброса, база которого соединена с катодом туннельного диода порогового элемента предыдущего разряда.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого регистра.

Каждый разряд регистра содержит бистабильный элемент памяти на туннельном диоде / и резисторе 2, траизнстор сброса, диодно-резист1 впую схему (резистор 4, диод 5} и пороговый элемент на туннельном диоде 6

и транзисторе 7.

При хранении «О (низковольтное состояние диода /) в ячейке регистра через резистор 2 и туннельный диод / протекает ток. Остальные элеме1ггь схе.мы ирактически обесточены.

При храненин «1 (высоковольтное состояние диода /) ток протекает как через резистор 2 и диод /, так и через резистор 4, коллекторно-базовый переход транзистора 7. Так как напряжение на прямой ветви вольтамперной характеристики диода 5 выбирается обычно больше, чем }1анряже П1е па вольтамперной характеристике коллекторио-базового перехода транзистора 7, то ток через диод 5 не протекает. Ток, ответвляющийся через эмиттер