СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПЛАСТИНЫ НА ОТДЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ Советский патент 1972 года по МПК H01L21/78 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии разделению пластин полупроводникового материала на кристаллы. Известны различные способы разделения пластин на кристаллы. Наибольшее применение получил способ разделения посредством скрайбирования, т. е. механического нанесения, например, алмазным резцом, на новерхность пластины прямолинейных рисок, по которым производится последующее разделение пластин на кристаллы, например, резиновым роликом. Основным недостатком известного способа является возникновение сколов и выкрашивание материалов, приводящее к нарушению геометрической формы кристаллов, ухудшению характеристик выделяемых элементов. Цель изобретения - улучщение параметров отдельных элементов. Цель достигается тем, что по предлагаемому способу формируют сеть ограничительных зон, ширина которых больше ширины разрушаемой инструментом зоны. По этим ограничительным зонам носят скрайберные риски и по ним любым известным способом разламывают пластину на элементы. Выборка ограничительных зон на поверхности может быть выполнена, например, посредством лазерной обработки в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Риски наносятся, как и зоны, в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Нанесение рисок может быть выполнено, например, посредством алмазного скрайберного резца. Обработка пластины лазерным лучом не отражается на свойствах элементов, и отделение разрушаемой механическим инструментом зоны позволяет значительно улучшить характеристики выделяемых элементов. Предмет изобретения Способ разделения пластины на отдельные элементы путем скрайбирования с последующей ломкой, отличаюи(ийся тем, что, с целью улучшения параметров отдельных элементов, формируют ограничительные зоны шириной больще ширины разрушаемой инструментом области, по которым проводят скрайбирование.