СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Советский патент 1971 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к электронной технике.

Известны способы изготовления полупроводниковых приборов, при которых последовательно проводят следующие операции (после получения функциональных элементов на полупроводниковой пластине): зондовые измерения параметров приборов с маркировкой негодных, разделение пластины на отдельные кристаллы, разбраковку и сборку прибора в корпусе путем монтажа кристалла на ножке и присоединения внутренних выводов. В некоторых случаях при резке пластин на кристаллы их приклеивают к пластине-спутнику и после разделения отсоединяют. Иногда при сборке приборов применяют беспроволочные методы, не требующие крепления кристаллов к ножке, заключающиеся в присоединении балочных выводов непосредственно к кристаллу.

К недостаткам известных способов относятся необходимость в маркировке -негодных приборов, ручной разбраковке и для автоматизации процесса - в оптико-электронных устройствах для совмещения кристалла с базовыми элементами корпуса.

Предлагаемый способ позволяет упростить технологический процесс и сохранить ориентацию кристаллов по отношению к базовым элементам корпуса для автоматизации процесса сборки вплоть до момента выполнения

этой операции. Он отличается тем, что полупроводниковую пластину, предварительно закрепленную после получения на ней функциональных элементов на пластине-спутнике, сначала разделяют па кристаллы, а затем производят зондовый контроль параметров, отделяют применением местного подогрева годные кристаллы и прикрепляют их к корпусам приборов или отделяют и удаляют негодные кристаллы, а годные, ориентированные на пластине-спутнике, передают на сборочную операцию, где отделяют крис-,аллы от пластиныспутника и прикрепляют их к корпусам приборов или, в случае сборки с применением балочных выводов, поочередно приваривают к кристаллам группы балочных выводов и отделяют кристаллы от пластины-спутника носле приварки выводов. На фиг. 1 показана операция разделения

полупроводниковой пластины на кристаллы; на фиг. 2 - операция зондового контроля параметров, при которой происходят также отделение годных кристаллов и перенос их для крепления к корпусу или отделение и удаление «егодных кристаллов; на фиг. 3 - операция ириварки к годным кристаллам балочных выводов при беспроволочной сборке приборов. Закрепив полуироводниковую пластину } с функциональными элементами на держателепримораживанием, разделяют ее на кристаллы без нарушения ориентации с помощью устройства 3 (резца скрайберного станка, пилы или диска установки разрезки). Для этой операции может применяться и травление.

Далее при последовательном перемещении пластины на шаг расположения кристаллов 4 контролируют их параметры зондамн 5 (фиг. 2). Годные кристаллы иоочередно, по мере измерения, отделяют от держателя-спутника 2 устройством 6, применяя местный подогрев их до температуры илавлепия крепящего состава с помощью устройства 7, которое может представлять собой трубку для подачи горячего газа либо нагретый стержеиь (в частном случае устройства 6 и 7 могут быть совмещены), устанавливают на корпусе

8прибора и припаивают или приклеивают.

При неодинаковой производительности зондового и сборочиого устройств, невысоком проценте выхода годных кристаллов иа пластине или при сборке кристаллов путем крепления балочных выводов целесообразно удалять негодные кристаллы. При этом годные кристаллы передают на держателе-спутнике иа сборочную установку, где держатель-спутник с кристаллами ориентируют в соответствии с кинематикой движения устройства 6, после чего последовательно отделяют кристаллы от пластины-спутника и прикрепляют к корпусам, а при сборке с балочными выводами - ориентируют по отношению к плате

9(фиг. 3) и поочередно приваривают к кристаллам группы балочных выводов, отделяя крнсталлы от держателя-сиутиика после приварки выводов. При сборке дополнительно перемещают пластину иа шаг расположения кристаллов, подают корпуса 5 в рабочую зону и перемещают плату 9 иа щаг расиоложеи 1Я групп выводов.

Выборочное отделение от пластины-спутника годных или негодных кристаллов по мере измерения параметров не требует маркировки негодных кристаллов и разбраковки, а благодаря тому, что взаимное расположение годиых кристаллов определено закреплением их иа держателе-снутиике, отпадает необходимость в доиолнительиых маиииуляцнях для ориентации каждого кристалла. Кроме того,

кристаллы, иередаваемые иа сборку, базируют ио структурам иа иих, а ие по граням, прпчем правильность базирования контролируют зоидами, что создает условия для высокоточного расиоложения кристаллов ио отнощеиию

к базовым элементам корпуса, способствуя автоматизацин процесса.

Описываемый способ может применяться также в тех случаях, когда необходима классификация кристаллов ио параметрам. При

этом, измеряя параметры кристаллов, их отделяют и перепосят каждый кристалл, в зависимости от его характеристик, в соответствующую емкость.

Предмет и з о б р е т е и и я

Сиособ изготовления иолупроводииковых ириборов, включающий получеиие фуикциональиых элементов на полупроводниковой

пластиие, зондовый контроль параметров, закреиление нолупроводн1исовой иластииы на держателе-спутнике, разделеиие иа кристаллы, съем кристаллов с держателя-спутника и их кренление к ножке ирибо)а или к выводам, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления ириборов, зондовый контроль параметров фупкциоиальных элементов проводят после разделения пластины иа кристаллы, а съем годных кристаллов с

держателя-спутника осуществляют выборочно.

ф,1,.:)