Способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы Советский патент 1977 года по МПК H01L21/78 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Известен способ разделения полупроводниковых пластин па кристаллы скрайбированием, заключающийся в том, что на поверхность пластины между разделяемыми кристаллами алмазным резцом наносят сетку рисок, локально снижающих прочность материала. В дальнейшем пластину разламывают на отдельные кристаллы по нанесенным рискам. Однако на рабочих гранях кристаллов при скрайбировании и разламывании возникают дефекты, например сколы, микротрещины, которые приводят к повреждению готовых полупроводниковых приборов.

По основному авт. св. № 351267 известен способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы, позволяющий уменьщить степень поврел дения готовых структур при разделении и тем самым улучшить параметры приборов. Улучшение качества разделения достигается формированием на пластине ограничительных зон, ширина которых больще ширины разрушаемой инструментом области. Ограничительные зоны, по которым проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных

направлениях с помощью лазерного луча наносят две лпнии надрезов. Линии, нанесенные лучом лазера, между которыми проводят скрайбированпе, образуют границы ограничи5 тельной зоны, отделяющей неповрежденную область кристалла от области, разрушаемой при скрайбированип и разламыванни. Недостатки такого способа:

-увеличение трудоемкости и усложнение 0 процесса изготовления полупроводниковых

приборов из-за введения дополнительной операции формирования ограничительных зон путем лазерной обработки;

-ухудшение условий скрайбированпя изза неравномерного движения резца, который многократно пересекает лпнии лазерных надрезов, что приводит к дополнительным локальным повреждениям кристаллов.

Целью изобретения является уменьшение степени поврел дения готовых структур и упрощение процесса разделения полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы.

Это достигается те.м, что по предлагаемому способу ограничительные зоны создают чере5 дующимися и не пересекающимися между собой, при этом хотя бы одну пз зон создают в области скрайбированпя.

Ограничительная зона представляет собой область локальных физических неоднородностей в приповерхностном слое пластины, рас