Изобретение относится к радиоиромышленности и иредназначено для использования ири изготовлении толстопленочных конденсаторов методом сеткографии.
Известен сиособ иолучения толстоиле11очиы. конденсаторов в толстонленочных микросхемах методом сеткографии.
По известному способу толстопленочные конденсаторы изготавливают в следующем порядке.
Па предварительно очнп1,енную керамическую илату наносят через сеткотрафарет слой проводящей насты для нижней обкладки конденсатора и проводят вжигание этой пасты. Затем через соответствуюн;ий сеткотрафарет наносят слой диэлектрической пасты и проводят его вжнгание. Далее наносят и вжигают слой нроводян1,ей насты, служащнй верхней обкладкой конденсатора. Для нолучення номинального значения емкости конденсатора проводят термическую обработку в нечи всей структуры конденсатора. Изготовленные и подогнанные в номинал конденсаторы подвергают тщательной химической очистке и ггокрывают флюсом для даль11ейшего лужения нроводящего слоя. При этом для исключения залуживания верхних обкладок конденсаторов, изготовленных на основе проводящей насты, не инертной к лужению, их закрывают вручную фильтровальной бумагой, предварительно вырезанной в форме, соответствующей конфигурации и наклад1з1ваемой на структуру толстопленочного конденсатора, размен1,енного на керамической плате вручную с помощью нннцета. Места, нокрытые фильтрованной бумагой, не должны облужнваться.
Известный снособ не нозволяет иолностью устранить облуживание верхней обкладки конденсатора, так как наклеенные На основе флюса защитные бумажк сдвигаются в сторону, коробятся и отслаиваются от поверхности верхней обкладки в процессе проведения лужения. Это приводит к болы110. нроценту брака и к низкому качеству об.туженной новерхности верхней обкладки конденсатора. Конденсаторы, полученные по известному способу, не обладают высокой влагостойкостью, им HpHcyHui низкие эксплуатационные и надежностные характеристики.
Пель изобретения - повыщенне влагостойкости и частотного нредела использования конденсаторов.
Поставленная цель достигается тем, что процесс подгонки емкости в номинал и вжигание заи;итиого диэлектрического слоя проводят в едином технологическом ц)1кле за счет иснользования материала защитного диэлектрического слоя с температурой вжигания, соизмеримой или меньщей температуры, нрн которой проводят подгонку рмкости в номинал,
На чертемчс показана структура устройства.
Устройство состоит из нижнего электрода /, верхнего электрода 2, защитного диэлектрического слоя, который вжигается нри подгонке емкости в номинал 5, и диэлектрического слоя 4.
Способ заключается в следуюидем.
На предварительно очищенную керамическую плату наносят через сеткотрафарет слой проводящей пасты для нижней обкладки конденсатора и проводят его вжигаиие в печи. Затем через сеткотрафарет для диэлектрического слоя наносят слой диэлектрической пасты п проводят его вжигание. На диэлектрический слой после вжигання наиосят и вжигают слой проводяп1,ей пасты, служащей верхней обкладкой копдепсатора пе инертной к облуживанию, и ие обладаюидей высокими эле1строфизическими характеристиками.
На полученный конденсатор через сеткотрафарет, применяемый для нанесения диэлектрического слоя конденсатора, наиосят защитный диэлектрический слой (с температурой вжигания, соизмеримой или меньшей температуры термической обработки конденсаторов при иодгоике их в номииал) и проводят процесс подго 1ки номинала емкости, при котором в едином цикле происходит вжигание защитного слоя нанесенного сверху конденсатора.
Описываемый способ позволяет еуществеино улучщить эксплуатационные и надежиостные характеристики конденсаторов, повысить частотный предел их использования, полиостью устранить подтеки и заплавы припоя на защищенных листках, а также устранить непроизводительный трудоемкий процесс наклейки защитиых бумажек при примеЕшиии проводящей иасты, не инертной к лужению, дает возможность исключить дорогостоящую с низкими электрофизическими характеристиками «инертную пасту.
Пред м е т и з о б р е т е л и я
Споеоб нзготовлеиня толстопленочных конденсаторов, включающий процесс последовательного нанесения методом сеткографин и вжигаиня в керамическую плату слоя проводящей пасты, слоя диэлектрика и снова слоя проводящей пасты, подгонку емкости в иомииал термической обработкой образовавшейся трехелойиой структуры конденсатора, химическую очистку, вжигание защитиого диэлектрического слоя и лужение проводящих слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения влагостойкости и частотиого предела
использования конденсаторов, процесс подгонки емкости в иоминал и вжигаиие уномянутого защитного диэлектрического слоя проводят в едином техиологическом цикле за счет использования материала защитиого диэлектрического слоя с температурой вжигания, соиз.меримой или меньшей темнературы, при которой проводят подгонку емкости в номииал.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2012 |
|
RU2497217C1 |
Проекционно-ёмкостная сенсорная панель и способ её изготовления | 2016 |
|
RU2695493C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТОПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ГЕНЕРАТОРОВ | 2020 |
|
RU2755344C1 |
СТЕКЛО | 1995 |
|
RU2081069C1 |
ПРОХОДНОЙ КОНДЕНСАТОР | 1988 |
|
RU2024978C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2014 |
|
RU2552631C1 |
ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ | 1992 |
|
RU2054720C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТОПЛЁНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2021 |
|
RU2776657C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2020 |
|
RU2755943C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1994 |
|
RU2086027C1 |
Даты
1972-01-01—Публикация