СТЕКЛО Российский патент 1997 года по МПК C03C3/74 C03C8/12 

Описание патента на изобретение RU2081069C1

Изобретение относится к составам стекол преимущественно для толстопленочных ГИС на керамических подложках.

Заявляемый материал может быть использован для защиты резистивных элементов и может применяться в электронной, радиотехнической и других смежных областях промышленности.

Заключительной операцией изготовления толстопленочной схемы является процесс подгонки толстопленочных резисторов. Дрейф номинала резисторов после операции подгонки может значительно ухудшить параметры схемы. Причиной дрейфа толстопленочных резисторов является релаксация остаточных напряжений (термических, если операция подгонки проводилась электроискровым или лазерным методом, или механических при пескоструйной подгонке).

Стекловидный материал защитного слоя может приводить как к уменьшению, так и к увеличению дрейфа резисторов. Последнее имеет место, если он обладает низкой термостойкостью и сам является причиной возникновения термических напряжений. Следует отметить, что значение имеет не абсолютная величина термостойкости, а способность защитной пленки выдерживать перепады температур от температуры схватывания до комнатной. В связи с этим тугоплавкие стекла, имеющие термостойкость ниже этой величины, даже согласованные по ТКЛР с подложкой, не всегда пригодны.

Значительные проблемы с подгонкой резисторов возникают также, если при вжигании защитного слоя происходит значительный уход номинала резисторов в ту или иную сторону. Поэтому в качестве защитных материалов наиболее пригодны термостойкие стекловидные диэлектрики, при вжигании которых не происходит значительного изменения номинала резисторов.

Известно стекло для покрытия системы PbO B2O3 - SiO2, состава (мас.):
PbO 65.75
SiO2 3.7
Cr2O3 0.5
B2O3 15.25
Al2O3 3.8
Вжигание защитного слоя на основе этого стекла при 460.560oC приводит к незначительному изменению номинала резисторов 0,3% ТКЛР стекла равен (65. 85)•10-7K-1.

Другое известное стекло этой системы для защиты толстопленочных резисторов [2] содержащее (мас.):
PbO 50.69
B2O3 5.10
SiO2 17.25
TiO2 3.8
Al2O3 0,8.5
CdO 3.7
Cr2O3 0,5.2
имеет ТКЛР (70.73)•10-7K-1, близкий к ТКЛР керамики, и обеспечивает стабильность сопротивления резисторов при вжигании защитного слоя при 590.610oC до 2.5%
Стекло [3] системы PbO B2O3 Al2O3 - SiO2, состава (мас.):
PbO 25.45
B2O3 7.23
SiO2 20.50
Al2O3 1.13
CaO 0.15
MqO 0.15
BaO 0.15
ZnO 0.15
SrO 0.15
Bi2O3 0.5
SnO2 0.5
имеет ТКЛР (55.65)•10-7K-1, близкий к ТКЛР керамики, и обеспечивает стабильность сопротивления резисторов при вжигании защитного слоя, однако, как и стекла [1, 2] обладает недостаточной термостойкостью и после операции подгонки защищаемые этими стеклами резисторы имеют высокий дрейф 2.3%
Известно стекло для защиты резистивных элементов системы PbO ZnO - B2O3 PbF2, [4] состава (мас.):
PbO 40.60
B2O3 12.17,5
SiO2 0,5.4
Al2O3 0,5.2
PbF2 10,2.18
ZnO 0.15
CuO 3.6
Bi2O3 0.5
Стекло с ТКЛР (86.92)•10-7K-1 и температурой вжигания 340.380oC обладает высокой термостойкостью, дрейф после операции подгонки защищенных ими резисторов невелик (менее 1%), но при вжигании защитного слоя происходит значительный уход номинала резисторов (до 8%), что недопустимо.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению по составу и технической сущности является состав [2]
Задачей является повышение термостойкости стекла и снижение за счет этого дрейфа защищаемых резисторов после операции лазерной подгонки при сохранении низкого ухода номиналов резисторов при вжигании защитного слоя.

Это достигается тем, что стекло, включающее PbO, B2O3, SiO2, TiO2, Al2O3, дополнительно содержит ZnO и PbF2 при следующем соотношении компонентов (мас.):
PbO 60,1.67,9
B2O3 5,0.14,9
SiO2 3,6.10,0
TiO2 0,5.3,9
Al2O3 0,5.7,5
ZnO 15,1.29,5
PbF2 0,5.10,1
Соотношение основных компонентов стекла (SiO2, B2O3, Al2O3, PbO, TiO2) выбиралось таким образом, чтобы:
а) ТКЛ стекла максимально приближался к ТКЛР высокоглиноземистой керамики, на которой сформирован резистор;
б) обеспечивалась достаточно низкая (480.520oC) температура вжигания стекла.

Повышение термостойкости стекла и снижение за счет этого дрейфа защищаемых резисторов после операции лазерной подгонки при сохранении низкого ухода номиналов резисторов при вжигании защитного слоя достигается за счет введения ZnO и PbF2. Часть оксида цинка вводится за счет уменьшения содержания в стекле SiO2 по сравнению с прототипом. Максимальный эффект достигается при одновременном присутствии ZnO и PbF2.

Концентрации ZnO и PbF2, введенных в состав стекла с целью повышения его термостойкости, ограничены тем, что при содержании ZnO менее 15,1 и PbF2 менее 0,5 мас. указанный эффект незначителен, а при содержании ZnO свыше 29,5% и PbF2 свыше 10,1% происходит существенное увеличение кристаллизационной способности стекла, что не позволяет получить качественные защитные пленки.

Известно, что термостойкость прямо пропорциональна прочности стекла, введение же ZnO за счет SiO2, а также введение PbF2 должно приводить к уменьшению прочности, а следовательно и термостойкости. Из уровня техники сведения об эффективном повышении термостойкости стекол системы PbO - B2O3 Al2O3 SiO2 при введении в них ZnO и PbF2 и уменьшении за счет этого дрейфа защищаемых этими стеклами резисторов неизвестны. Следовательно, стекло заявляемого состава имеет изобретательский уровень.

Изобретение поясняется конкретными примерами.

Стекла получали следующим образом. Порошки исходных химически чистых компонентов шихты (PbO, H3BO3, SiO2, TiO2, Al2O3, ZnO, PbF2) высушивали, взвешивали в определенных количествах, соответствующих заданным составам стекол (табл. 1), тщательно перемешивали и сплавляли в корундизовых тиглях емкостью 100 мл в печи с карбидкремниевыми нагревателями. Подъем температуры в печи осуществляли со скоростью 5 oC/мин, при достижении температуры 1100.1300oC расплавы выдерживали 20 мин, гранулировали в воду и вырабатывали на штабики.

Гранулят стекол высушивали при 120+10oC в течение 4 ч в сушильном шкафу и измельчали до удельной поверхности 800+100 м2/кг на планетарной мельнице в халцедоновом барабане.

ТКЛР стекол определяли методом дилатометрии по стандартной методике на дилатометре ДКВ-5А.

Из полученных стеклопорошков изготавливали диэлектрические пасты для защиты резисторов на основе соединений рутения путем их смешивания с раствором этилцеллюлозы в терпинеоле на пастотерке. Соотношение стеклопорошка и раствора этилцеллюлозы в терпинеоле выбиралось таким образом, чтобы обеспечивалось высокое качество трафаретной печати.

Тестовые образцы изготавливали следующим образом. На подложку из керамики ВК94-1, содержащую тестовую резистивную схему с резисторами серии ПТР (0тУ-25-7807, 0070-87), методом трафаретной печати наносили слой защитной пасты, подсушивали его при 120+20oC в течение 10.15 мин и вжигали в конвейерной печи типа "Огнеупор" с максимальной температурой 480.520oC в течение 30. 60 мин. Температуру вжигания защитного слоя выбирали на 20.30oC больше температуры начала оплавления.

Качество защитных слоев на основе стекол, указанных в табл.1, оценивали по наличию пузырей, раковин, вспучивания на тестовых образцах визуально под микроскопом МБС-9. Сопротивление защищаемых резисторов после вжигания защитной пасты и операции подгонки (дрейф резисторов измерялся через 5 суток) измеряли на универсальном переносном измерительном приборе типа УИП-60М. Операцию подгонки проводили на установке АМЦ. Термостойкость оценивали по наличию трещин в защитном слое после его резкого охлаждения от температуры вжигания до комнатной температуры.

Данные табл.2 показывают, что стекло заявляемого состава имеет по сравнению со стеклом согласно прототипу лучшую термостойкость и обеспечивает после операции подгонки меньший дрейф защищенных ими резисторов при сохранении незначительного ухода номинала резисторов при вжигании. Это обусловливает повышение качества ГИС.

Похожие патенты RU2081069C1

название год авторы номер документа
СТЕКЛО ДЛЯ СИТАЛЛОЦЕМЕНТА 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Костенич Л.А.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Левин В.Ф.
RU2069199C1
СТЕКЛО 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Костенич Л.А.
RU2069198C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ПАСТ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1992
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Морозова Т.М.
  • Колдашов Д.Н.
RU2044350C1
СТЕКЛО ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ИЗОЛЯЦИИ АЛЮМИНИЕВОЙ ПРОВОДНИКОВОЙ РАЗВОДКИ 1992
  • Ермолаева А.И.
  • Кошелев Н.И.
  • Ивлюшкин А.Н.
RU2036868C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ РУТЕНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ 1992
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Колдашов Д.Н.
  • Журавов В.Д.
  • Ушкова А.П.
  • Андронов Б.Н.
  • Измайлов Ш.З.
RU2026578C1
СТЕКЛО 1992
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Морозова Т.М.
  • Костенич Л.А.
  • Макаров С.В.
  • Смирнова А.Т.
  • Братчиков В.Н.
  • Нечаев С.В.
  • Гетманова З.С.
RU2023691C1
ПРОВОДЯЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ 1992
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Морозова Т.М.
  • Тельминов А.И.
  • Братчиков В.Н.
  • Нечаев С.В.
  • Смирнова Л.П.
RU2106709C1
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОВИДНОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА 1995
  • Петрова В.З.
  • Тельминов А.И.
  • Воробьев В.А.
  • Усманова Р.И.
RU2096848C1
СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИКА ДЛЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ 1995
  • Кошелев Н.И.
  • Ермолаева А.И.
  • Петрова В.З.
RU2083515C1
СТЕКЛО ДЛЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ 1995
  • Кошелев Н.И.
  • Ермолаева А.И.
RU2083514C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 081 069 C1

Реферат патента 1997 года СТЕКЛО

Использование: для защиты резистивных элементов в электронной, радиотехнической и других смежных областях промышленности. Сущность изобретения: стекло содержит следующие компоненты, мас.%: оксид свинца 60,1...67,9 БФ PbO, оксид бора 5,0...14,9 БФ B2O3, оксид кремния 3,6...10,0 БФ SiO2, оксид титана 0,5. . . 3,9 БФ TiO2, оксид алюминия 0,5...7,5 БФ Al2O3, оксид цинка 15,1. . . 29,5 БФ ZnO, фторид свинца 0,5...10,1 БФ PbF2. Свойства защитных слоев на основе стекла: ТКЛР (64-68)•10-7K-1, уход номинала резистора при вжигании защитного слоя +(1-2)%, дрейф номинала резистора после подгонки +(0,03-0,10)%, термостойкость-выдерживает охлаждение от Твж до 20oC, температура вжигания 480 - 520oC. 2 табл.

Формула изобретения RU 2 081 069 C1

Стекло, включающее PbO, B2O3, SiO2, TiO2, Al2O3, отличающееся тем, что дополнительно содержит ZnO и PbF2 при следующем соотношении компонентов, мас.

PbO 60,1 67,9
B2O3 5,0 14,9
SiO2 3,6 10,0
TiO2 0,5 3,9
Al2O3 0,5 7,5
ZnO 15,1 29,5
PbF2 0,5 10,1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года RU2081069C1

Устройство для охлаждения водою паров жидкостей, кипящих выше воды, в применении к разделению смесей жидкостей при перегонке с дефлегматором 1915
  • Круповес М.О.
SU59A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Приспособление для разматывания лент с семенами при укладке их в почву 1922
  • Киселев Ф.И.
SU56A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Устройство для измельчения стекловолокна 1989
  • Зотов Юрий Анатольевич
  • Трищун Александр Иванович
SU1675235A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Устройство для изготовления волокна из минерального расплава 1991
  • Калитин Владимир Александрович
  • Зерцалов Николай Сергеевич
  • Петраков Борис Иванович
SU1806103A3
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

RU 2 081 069 C1

Авторы

Петрова В.З.

Чиликина Т.Д.

Воробьев В.А.

Чиликина М.В.

Даты

1997-06-10Публикация

1995-02-22Подача