СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКА Советский патент 1973 года по МПК C23C18/38 H05K3/00 

Изобретение относится к радиоэлектронике и приборостроению. Известен способ металлизации диэлектрика, основанный на химическом осаждении металла, например меди, из раствора его комплексных солей, с нредварительной вакуумной обработкой поверхности диэлектрика. Применение такого спосЬба значительно снижает адгезию металла к диэлектрику и увеличивает пористость -покрытия. В -целях повышения адгезии металла к диэлектрику и получения беспористого покрытия процесс металлизации по предлагаемому способу проводят в вакуумной камере при остаточном давлении мм рт. ст. Пример. Ванну с раствором химического .меднения, например, следующего состава, г/л: CuSO4-5H9030 NiSO4 7П.,04 NaaCOii-lOHaO30 NaOH40 КНаС4П4Об-4П2О170, а также СгНзОН Q мл/л НСОП (33%) -20 мл/л помещают в вакуумную камеру. Диэлектрик, например плату печатного монтажа с Просверленными отверстиями под металлизацию, предварительно обработанный в растворах сенсибилизации и активации, помещают в вакуумпую камеру на подвижную штангу. В ка.мере создают вакуум порядка 70-10 мм рт. ст. После тридцатиминутного обезгал ивания плата при помощи подвижной штанги погружается в раствор меднения. Процесс ведется при легко.м покачивании платы. Применение данного способа позволяет получить плотный осадок и повысить адгезию меди к диэлектрику до 60 KZJCM и более. Предмет изобретения Способ металлизации диэлектрика, основанный на химическом осаждении металла, например меди, из раствора его комплексных солей, с предварительной вакуумной обработкой поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии металла к диэлектрику и получения беспористого покрытия, процесс металлизации проводят в вакуумной камере при остаточном давлении 70- 10 мм рт. ст.