ВЛАГОПОГЛОТИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ Советский патент 1973 года по МПК H01L23/26 

1

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов.

При изготовлении полупроводниковых приборов применяются адсорбенты-цеолиты в виде порошка (таблеток) в чисто1М виде или в смеси с геттероносптелями. Так, например, нри изготовлении сплавно-диффузионных и сплавных германиевых транзисторов типа П 416, IT308, ITM305, IT309 п т. д. применяется крениийорганический КВ-3 с добавленпем 5-15 вес. ч. цеолита (NaA, СаЛ и т. д.).

Известны и другие составы защитных покрытий, как, например, кремпийорганические вазелины с добавлением молекулярных сит п осушающих (ВаО) или увлажняющих (CaSO4-l/2 Н2О) агентов. Однако применение таких наполнителей может привести к значительной осушке или увлажнению атмосферы в корпусе прибора, а следовательно, к большой нестабильности электрических параметров.

Применяются кремнийорганические вазелипы с добавлеппем борного ангидрида, но в этом случае стабилизация параметров для отдельных типов приборов достигается в случае применеппя термообработки при высоких температурах -- 140°С после герметизации, что зачастую неприемлемо ввиду конструктивных особспностей прибора. Кроме того, в процессе технологического ироизводства у различпых приборов может быть разное количество влаги в атмосфере корпуса. Следовательно, для разиых приборов в одной нартии требуется для стабилизации различная температура термообработки.

Цель изобретения состоит н разработке такого защитного покр1з1тия для полупроводниковых приборов, который бы смог обеспечить

необходимую влажность внутри корпуса полупроводникового прибора независимо от начальиого содержаиия влаги в корпусе ирибора до термообработки и гаранпно высокой стабильности электрических параметров нриборов при работе их в интервале температур от -60 до +100°С.

Поставленная цель достигается тем, что нсиользуют смесь борного ангидрида и молекулярного сита, взятых в соотношении соответственно 9-1:1-9. Иногда в указанную смесь вводят геттероноситель, нанример КВ-3.

Бор1Из1Й ащпдрид при определенных исход1п 1х обработках п соотношениях с молекулярны.м ситом в случае избытка влаги в корпусе прибора нри термообработке поглощает влагу. В случае создапия более осушающей среды но сравиенмю с необходимой - - отдает виутреннюю влагу в атмосферу прибора. Весовое количество борного ангидрида, молекулярного сита и геттероносителя зависит от типа, конструкции и технологии изготовления приборов.

Обеспечение высокой стабильности электрических параметров достигается при использовании соотношений молекулярного сита-борного ангидрида соответственно в пропорциях 9-f 1 и 1-9 или та же смесь в соотношении 5-25 вес. ч. на 100 вес. ч. геттероносителя. Молекулярное сито применяется с влагоемкостью не менее 15%, борный ангидрид - с содержанием основного вещества не менее 95%. Для стабилизации электрических параметров достаточна термообработка при 85-100°С в течение 24-100 час.

Описываемый влагопоглотитель применим как к диодам, так и к транзисторам п-р-п, р-п-р и p-n-i-p типа. Полупроводниковыми материалами являются германий и кремний.

Поверхность кристалла защищалась вазелином КВ-3 с добавлением цеолита NaA и борного ангидрида В2Оз соответственно в соотношениях 2и5;4и5;7иЗ вес. ч. на 100 вес. ч. КВ-3, а также смесью порошков в соотношеНИИ 4-5 вес. ч. Параллельно проведена партия с вазелином КВ-3 и добавлением 15 вес. ч. только цеолита NaA. Перед изготовлением защитного покрытия кремнийорганический вазелин КВ-3 вакуумировался не менее 4 час. ири 120°С при вакууме 5-10- мм. рт. ст., цеолит NaA отжигался при 450-500°С в течение 6 час, борный ангидрид при 200°С в течение 4 час. Температура термообработки транзисторов после герметизации была 85±5°С-72 час. Срок службы 400 час, Р 100 мет, Г-f 20°С. Так как при применении смесн борного ангидрида, молекулярного сита и геттероносителя внутри прибора обеспечивается необходи1мая ат;мосфсра, стабильность параметров повышается.

Предмет изобретения

1. Влагопоглотитель д. полупроводниковых нриборов, содерясащий геттер на основе цеолита NaA и связующее, отличающийся тем, что, с целью повьплення технологичности геттера и повышения стабильности параметров приборов, в качестве геттера использована смесь цеолита и борного ангидрида в следующем соотношении (в вес. ч.): цеолит-1-:-9, борный ангидрид- 9-rl.

2. Влагопоглотитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве связующего использован кремнийорганический вазелин в колнчестг.е 75-95 вес.%.