СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЧКИ КЮРИ В СЕГНЕТОПОЛУПРОВОДНИКАХ Советский патент 1973 года по МПК G01N25/12 

Изобретение относится к способу определения точки Кюри в сегнетополупроводниках, в особенности для сегнетополупроводников типа периодической системы Менделеева.

В известных способах определения точки Кюри из измерений температурной зависимости диэлектрической проницаемости в пьезозффекту 5( и др. в области фазового перехода 1аблюдается максимум величин е и j(.

Известен способ определения точки Кюри из измерений пиротока i.

Пироток i связан с поляризацией соотношением.

- J-P / f dT dt )

где Т - абсолютная температура;

/ - время;

/ - поляризация.

Этот способ наряду с основным пиротоком регистрирует ложный пироток и требует применения высокочувствительных измерительных устройств (электрометров), регистрируюо

щих ток порядка А.

Ложный пироток связан с пьезоэффектом, возникающим при деформации кристалла в процессе изменения температуры.

Для повышения надежности регистрации фазового перехода по предлагаемому способу область фазового перехода определяют из измерения величины фотоотклика, возникающего при освещении контакта металл-сегнетополупроводник видимыми импульсами света из области собственной фотопроводимости, и фиксируют максимальное значение фотоотклика.

Предлагаемый способ заключается в следующем.

На кристалл сегнетонолупроводника, нанример SbSI, напыляют в вакууме контакты из Sb (сурьмы) или другого материала (Au,Ag, Bi и т. д.), возмол но применение серебряной и индийгаллиевой паст. Кристалл с нанесенными контактами закорачивают входом измерительного устройства (узкополосного усилителя) неременного тока. В области фазового перехода наблюдается резкое увеличение фотоотклика. Для SbSI точка Кюри лежит в интервале 19-22°С. Частота световых импульсов может меняться в щироком интервале (100-5000 гц,).

Предмет изобретения

Способ определения точки Кюри в сегнетополупроводниках, например типа , с нанесенными металлическими контактами, отличающийся тем, что, с целью повыщения надежности регистрации фазового перехода, освещают контакт металл - сегпетонолупроводпик имиульсами света из области собственной фотопроводимости и фиксируют максимальное значение фотоотклнка.