Контактно-химический способ осаждения металлов Советский патент 1983 года по МПК C25D5/54 C23C3/00 

со

О)

м

sj

4

О) Изобретение относится к области нанесения покрытий. Известен контактно-химический сп соб осаждения металлов на. металлическую похутожку, сущность которого заключается в погружении подложки в раствор, содержащий ионы осаждаемого металла, в контакте с более электроотрицательным металлом, чем осаждаемый. Предложен контактно-химический способ осаждения металлов для нанесения покрытий, на поверхность диэлектриков. Пример 1. Медный валик рас полагают на поверхности обезжиренной подложки из стеклотекстолита и погружают в раствор, содержащий азо нокислое серебро 1-100 г/л и 25%-ный аммиак 10-50 мл/л. По истечении некоторого времени на поверхности стеклотекстолита вокруг медного участка наблюдается образование пленки серебра, ширина которой растет во времени и через 5 мин достигает 5-8 мм. Медный ваЛик перемещают равномер но по поверхности подложки со скоростью 0,5-5 мм/мин, что способству осаждению на поверхности стеклотекс толита сплошной плёнки серебра,проч но сцепленной с основой и обладающе достаточной электропроводностью. Установлено, чт;о при расположени медного валика над стеклотекстолитовой подложкой фланговый рост плен ки в 1,5-2 раза больше, чем г1ри р положении медного валика под подлож кой. Толщину пленки серебра регулирую скоростью перемещения медного валик на поверхности стеклотекстолитовой подложки. Пример 2. Металлизация сквозных отверстий печатной платы с комбинированной поверхностью диэлектрикметалл. Поверхность отверстий обезжиривают одним из известных способов,затем ак- тивируют диэлектрической составляю.щей. При активации используют кон тактно-химический способ осаждения палладия, который осуществляют путем погружения комбинированной поверхности металл-диэлектрик на 10-30 мин в раствор, содержащий палладий хлористый 1 г/ли кислоту соляную (уд. в. 1,19) 5 мл/л. Затем плату промывают, удаляют лаковую изоляцию, сушат, декапируют в растёЬре соляной или серной кислоты и завешивают в гальваническую ванну меднения с раствором, содержащим, г/л; -Медь сернокислая 120 Этилендиамин 60 Натрий сернокислый 60 Аммоний сернокислый 60 Процесс гальванического меднения проводят при рН 6-7,5 и катодной плотности тока 1,5-2,5 А/дм. Полученное медное покрытие обладает высокой адгезией к основе и отвечает всем требованиям, предъявляемым к коммутационным элементам печатных плат. Применение контактно-химического способа осаждения палладия на диэлектрическую составляющую поверхности отверстий позволяет исключить из технологической цепочки металлизации печатных плат операции сенсибилизации и химического меднения.

Применение контактно-химичес-