1
Изобретение относится к области получения монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов, используемых для изготовления электрооптических элементов.
Известен способ выращивания манокристаллов ниобатов ,и танталатов щелочных металлов вытягиванием по Чохральскому в атмосфере воздуха. Однако такой способ не обеспечивает получения бесцветных монокристаллов, не имеющих внутренних напряжеиий.
Отличием предлагаемого способа является осуществление выращивания В атмосфере, содержащей не менее 50 об. % кислорода (В частности не менее 80 об. % кислорода или чистый кислород), влажность которой соответствует давлению насыщенного водяного пара при температуре 22-28° С (в частных случаях ври температуре 24-26°С и 25°С). Это позволяет получать бесцветные кристаллы, не имеющие тенденции к растрескиванию.
По описываемому способу выращивание монокристаллов производят на установке Чохральского ,с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный .материал в виде -порошка /помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входом в камеру через наполненный водой сосуд при температуре 22-28° С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его .насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается
в пределах 0,3-3,0 л/час, предпочтительно 0,5-1 л/час.
В процессе вытягивания между затравкой и расплавом создают короткое замыкание для стекания поляризационных зарядов, возникающих при переходе в ферроэлектрнческую
фазу. Вытягивание производят со скоростью
1-2 см/час, скорость вращения затратаки
0,2-1,0 об/сек.
При получении легированных монокристаллов в тигель добавляют 0,1-2,0 ат. % Нелли Рг в форме NdoOg или Рг20з.
По достижении кристаллом требуемой длины тигель опускают для отсоединения кристалла от расплава и осуществляют термообработку кристалла при температуре, на 50- 80° С меньшей температуры плавления, в течение 12 час также в потаке вл.ажной окислительной атмосферы. Температуру снижают
до комнатной в течение 36 час.
По описываемому способу были выращены бесцвет1ные монокристаллы ниобата лития диаметром 15-18 мм и длиной 30-50 мм, не имеющие тенденции к растрескиванию.
3
Предмет изобретения
1. Способ выращивания монокристаллюв ниобатов и тантал-атов щелочных металлов вытягиванием из .расплава по Чохральскому в атмосфере, содержащей кислород и влагу, отличающийся тем, что, с целью получения бесцветных монокристаллов, не имеющих тенденции к растрескиванию, выращивание осуществляют В атмосфере, содержащей не менее 50 об. % кислорода, влажность которой
соответствует давлению насыщенного водяного пара при 22-28° С.
2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что выращивание осуществляют в атмосфере, содержащей не менее 80 об. % кислорода, влажность которой соответствует давлению насыщенного водяного пара при 24-26° С.
3.Способ по п. 1, отличающийся тем, что выращивание осу.щест(вляют в атмосфере кислорода, влажлость которого соответствует давлению насыщенного водяного пара при 25° С.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МОНОКРИСТАЛЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВ В УСТРОЙСТВАХ НА ПОВЕРХНОСТНО-АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2000 |
|
RU2172362C2 |
Способ выращивания монокристаллов германата висмута | 1991 |
|
SU1810401A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО МАССОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПЬЕЗОРЕЗОНАНСНОГО СЕНСОРА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА АЛЮМИНИЯ | 2013 |
|
RU2534104C1 |
МОНОКРИСТАЛЛ СО СТРУКТУРОЙ ГАЛЛОГЕРМАНАТА КАЛЬЦИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВ В УСТРОЙСТВАХ НА ПОВЕРХНОСТНО-АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2003 |
|
RU2250938C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ), СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ) И МОНОКРИСТАЛЛ (ВАРИАНТЫ) | 1999 |
|
RU2215070C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА НА ОСНОВЕ ЛАНГАТАТА И МОНОКРИСТАЛЛ НА ОСНОВЕ ЛАНГАТАТА | 2016 |
|
RU2686900C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2005 |
|
RU2293146C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕРБИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА | 2006 |
|
RU2328561C1 |
СПОСОБ ПОЛЯРИЗАЦИИ МОНОКРИСТАЛЛА ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ | 2008 |
|
RU2382837C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА | 1998 |
|
RU2156327C2 |
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация