1
I ;к)и)етен11с относнтся -к области технологли изготовления заномипаютцнх устройств для электронных вычислительных машии.
Известны тепловые блоки вакуумных установок для нагреваБия подложек в -кассетах, которые содержат массивный полый параллелепипед с горизонтальными нанравляюш,ими пазами для перемещеиия кассет с нодлож-ками, сиаружи Которого располоукен нагреватель. Весь тепловой блок деподвижно закренлеп внутри вакуумной установки в ее вакуумной камере.
Однако такие тепловые блоки не обеспечивают из-за их массивнОСТ и больпюй теплоемкости (т. е. тепловой инерции) быструю омеиу температуры иодложек с матрицами при их термообработке, что сказывается на качестве , а длительный процесс перехода при термообработке от одной температуры к другой приводит к неконтролируемым изменениям свойств тонких магнитных пленок и не позволяет эффективно н оперативно управлять процессом термообработки. Все это снижаег производительность вакуумных установок и качество пленок. Кроме того, к снижению нроизводительности приводит и непроизводительная затрата времени на самопроизвольное остывание теплового блока.
Цель изобретения - улучшение качества подложек.
Это дост1ггается тем, что тепловой блок содержит систему принудительного охла/1 де11И5г в виде трубок, встроенную в боковые стенк; полого параллелепипеда.
На чертеже покаазна конструктивная схема вакуумной установки с предлагаемым теп/ювым блоком.
Она состонт пз вакуумной камеры /, испарителей 2, теплового блока 3 с нагревателем 4, кассетами 5 для крепления подложек и системой 6 принудительного охлалсдения в виде трубок, встроенной в боковые степкн, кассетонриемника 7, катушек 8 Гельмтольца и аппаратуры 9 для контроля параметров технологического процесса.
Предлагаемый тепловой блок 3 вакуумной
установки выполнен в виде массивного полого
параллелеиииеда из медн пли нержа веющей
стали с горизонтальными напраатяющп.мн пазамп для перемепдения кассет с подложками.
Нагреватель 4, установленный снаружи теплового блока, изготовлен в виде электрической опирали в керамических изоляторах, на которую надет тепловой экран - медный или молибденовый кожух.
В боковые стенки параллеленипеда с внешней стороны встроена система 6 принудительного охлаждения в виде трубок. Трубки могут быть приварены к боковым стенкам лнбо размещены в выборках внутри стенок, выполненных из двух половин.
Другой вариант системы принудительною охлаждения - это азотно-или водоохлажяаемая рубашка, расположенная под нагреваголбм вокруг массивного полого параллелепипеда.
Весь тепловой блок неподвижно закреплен внутри вакуумной установки в ее вакуумной камере.
Предлагаемый тепловой блок имеет однородную зону нагрева, в которой размещается большое количество подложек илп образцов, позволяет эффективно и оперативно управлять термообработкой (температурным режимом) пленок, исключив длительные процессы перехода от одной температуры к другой, снизить
к минимуму неконтролируемые изменения свойств пленок, улучшить их качество и увеличить выход годных матриц, т. е. повысить производительность, а также снизить непроизводительные затраты времени на окончательное охлаждение теплового блока.
Предмет изобретения
Тепловой блок вакуумной установки для нагревания подложек п кассетах, состоящи из полого параллелепипеда с горизонтальными маправляюпщми назами, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек, ои содержит систему принудительного охлаждения в виде трубок, встроенную в боковые стенки полого параллелепипеда.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
CVD-РЕАКТОР СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | 2021 |
|
RU2767098C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2004 |
|
RU2270490C1 |
Источник молекулярных пучков | 1989 |
|
SU1705426A1 |
УСТРОЙСТВО НАГРЕВА ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УСТАНОВКИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2010 |
|
RU2468468C2 |
Установка для термообработки пленок на подложках | 1988 |
|
SU1560957A1 |
УСТАНОВКА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ | 2001 |
|
RU2213159C2 |
ДИОД СИЛОВОЙ НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ НЕПЛАНАРНЫЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2411611C1 |
СПОСОБ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУРЫ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЕВЫХ ЗОН | 1995 |
|
RU2107117C1 |
СПОСОБ СИНТЕЗА КОМПОЗИТНЫХ ПОКРЫТИЙ TiN-Cu И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2017 |
|
RU2649355C1 |
Установка для получения эпитаксиальных слоев | 1970 |
|
SU401272A1 |
Даты
1973-01-01—Публикация