ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СТЕКЛО Советский патент 1973 года по МПК C03C3/87 

1

Изобретение относится к составу полупроводникового стекла, используемого в электротехнических приборах.

Известно полупроводниковое стекло, включающее Si02, TiOz, АЬОз, FejOa + FeO.CaO, MgO, MnO.

Описываемое стекло имеет сопротивление ом см, повышенную хим-ичеокую и термическую устойчивость.

Это достигается тем, что оно содержит, вес. % Si02 47-52; TiOs 0,8-1,8; АЬОз 15-17,5; РезОз + РеО 9-12; СаО-7-9; MgO 4,6-6; MnO 0,2-0,6; МоОз 4-6,5.

Стекла варят в силитовых печах при 1440-1480° С из шихты, включающей добавку 2,5-3,5 в. ч. угля. Раоплавленную стекломассу заливают в формы, ставят в муфельные электрические печи, предварительно нагретые до 820-920° С и охлаждают со скоростью 100-220° С в час.

Предлагаемое стекло имеет следующие свойства:

Модуль Юнга, кг/мм 7800-8200

УделЬное объемное сопротивление в интервалах

20-400° С, ом . см.

Весовые потери к 1 NH2C1, % 2,5-6 Стекло имеет стабильное объемное сопротивление в температурном интервале 20- 250° С.

Предмет изобретения

Полупроводниковое стекло, включающее SiOz ТЮг, АЬОз, Ре2Оз + РеО, СаО, MgO, МпО, отличающееся тем, что, с целью снижения сопротивления до ом см, оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес. %:

20

25