КЛАССИФИЦИРУЮЩИЙ ВАКУУМ-КРИСТАЛЛИЗАТОР Советский патент 1973 года по МПК B01D9/02 

1

Изобретение относится к конструкциям вакуум-кристаллизаторов для получения крупнокристаллических солей и удобрений.

Известен вакуум-кристаллизатор, состоящий из герметичного корпуса, включающего кристаллораститель и испаритель, соединенные подъемно-транспортирующей трубой, верхняя расширенная часть которой смонтирована внутри опускной трубы испарителя.

Однако известный кристаллизатор недостаточно эффективен в случаях, когда необходимо получать .крупнокристаллический продукт высокой степени однородности.

С целью получения -крупнокристаллического продукта высокой степени однородности в предлагаемом вакуум-кристаллизаторе на подъемно-транспортирующей трубе укреплено распределительно-отражательное устройство, выполненное в виде двух пластин различной кривизны, размещенных с зазором по вертикали.

На чертеже изображен предлагаемый вакуум-кристаллизатор.

Он состоит из Корпуса 1, включающего кристаллораститель 2 и испар-итель 3, соединенные подъемно-транспортирующей трубой 4, верхняя часть которой образует расширенную камеру 5. Испаритель имеет опускную трубу 6, размещенную вокруг трубы 4. На трубе 4 укреплено распределительно-отражательное устройство, состоящее из верхней отражательной нластины 7 и нижней распределительной пластины 8, имеющих различную кривизну и размещенных с зазором по вертикали. Корпус снабжен патрубками 9 для подачи в испаритель горячего раствора, брызгоотделителем 10, щтуцером 11 для отвода сокового пара, соединительными циркуляционными трубками 12 и 13, устройством 14 для отбора продукционных кристаллов со щтуцером 15.

Через патрубок 9 в испаритель из циркуляционного цикла от подогревателя поступает горячий раствор. Раствор -подается в центр расширенной камеры, где из раствора выделяется часть растворителя в виде соковых паров, при этом раствор становится пересыщенным. Часть пересыщенного раствора переливается через края в испаритель, вторая, основная часть пересыщенного раствора, по трубе 4 поступает в нижнюю секцию корпуса, где в псевдоожиженном слое выращиваются крупные продукционные кристаллы. Осевшие на дно крупные кристаллы отводятся непрерывно через устройство для отбора кристаллов.

При классификации кристаллов в нижней части кристаллизатора в верхней части псевдоожиженного слоя будет накапливаться мелочь. С целью отделения этой мелочи и ее