АНТИДИНАТРОННОЕ ПОКРЫТИЕ Советский патент 1973 года по МПК H01J5/08 

Описание патента на изобретение SU376827A1

Изобретение относится к мощным электровакуумным приборам, в частности к приборам СВЧ. В этих приборах для окон выводов энергии и высоковольтных изоляторов применяются алюмооксидные керамические материалы, имеющие высокий коэффициент вторичной электронной эмиссии (квээ). Вторичный электронный резонанс, являющийся следствием высокого квээ диэлектрика,- одна из причин разрушения диэлектрика вывода энергии при высоких уровнях пропускаемой через него импульсной мощности. Для любой конструкции окна лучшие результаты могут быть получены путем использования диэлектрика с низким квээ. В высоковольтных изоляторах электронных приборов в результате местного лавинного нарастания интенсивности бомбардировки за счет вторичных электронов также может происходить разогрев керамики и разрушение ее. И в этом случае использование диэлектрика с более низким квээ позволит предотвратить его разрушение. Известны способы подавления вторичного электронного резонанса, например способ снижения квээ с поверхности путем нанесения на диэлектрик металлов с более низким, чем у подложки, квээ. Однако наносимые покрытия недостаточно стойки к многократным прогревам в газовых средах и в вакууме, не обеспечивают стабильности свойств узла в течение длительного вре мени работы прибора, слабо связаны с подложкой и, кроме того, испаряются при нагреве и распыляются при бомбардировке электронами. Предлагается в качестве покрытия диэлектрика в окнах выводов энергии мощных ЭВП и высоковольтных изоляторов использовать проводящую, например, титаносодержащую глазурь с пониженным квээ, наносимую на поверхность диэлектрика любым известньш способом (пульверизацией, окунанием, намазыванием и др.) и подвергаемую термообработке в восстановительной среде. Покрытие с низким поверхностным сопротивлением, как известно, также дает возмол ность за счет малых электричес({их утечек избежать накопления положительных зарядов на поверхности изолятора и тем самым уменьшить интенсивность электронной бомбардировки и способствует более равномерному распределению электрического поля по диэлектрику. Пример. На внутреннюю вакуумную поверхность окна вывода энергии, изготовленного на алюмооксидной керамике типа А-995 (содержание АЬОз-99,5%), была нанесена методом окунания алюмосиликатная бесщелочная титаносодержащая глазурь и затем 3 оплавлена в восстановительной среде. Получено плотное покрытие, прочно связанное с подложкой, стабильное в различных защитных газовых и в вакууме при нагреве до 1000-1200°С. На динамических испытаниях прибора температура керамического окна вывода энергии при прохождении через него мощности 15 кет снизилась более чем на 200°С по сравнению с неглазурованной керамикой. 4 Предмет изобретения Антидинатронное покрытие для керамических деталей электронных приборов, преимущественно приборов СВЧ, на основе титана, отличающееся тем, что, с целью повышения термостойкости и прочности сцепления с деталью, покрытие выполнено из титаносодержащей глазури.

Похожие патенты SU376827A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ И МЕХАНИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ ВАКУУМНО-ПЛОТНЫХ ОКОН ВВОДА/ВЫВОДА СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЙ (ВАРИАНТЫ) 2016
  • Клинов Федор Михайлович
  • Мильман Игорь Игориевич
  • Шульгин Борис Владимирович
RU2654582C2
Диэлектрический материал 1976
  • Джагинов Эрвин Артемович
  • Марин Владимир Петрович
SU596556A1
СПОСОБ КОМПЛЕКСНОЙ ЗАЩИТЫ ГЛАЗУРОВАННЫХ, КЕРАМИЧЕСКИХ, МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ОТ УТЕЧЕК ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА, КОРРОЗИИ И ИХ ГИДРОФОБИЗАЦИЯ 2013
  • Нестеров Александр Матвеевич
  • Вохидов Абдурашид Содикович
RU2566426C2
Способ изготовления керамических деталей 1980
  • Морозов Алексей Михайлович
  • Малынин Юрий Григорьевич
  • Гостиев Владимир Габицович
SU894812A1
Глазурь для алюмооксидной керамики 1982
  • Трушкова Лилия Алексеевна
  • Трошин Владимир Васильевич
  • Жуковская Раиса Дмитриевна
SU1071586A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИДИНАТРОННОГО ПОКРЫТИЯ НА КЕРАМИКЕ 1969
SU243081A1
СПОСОБ СНИЖЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ 1993
  • Желудков В.И.
  • Козлова Р.Ф.
RU2093915C1
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ВАКУУМНЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ 2005
  • Бочкарев Владимир Семенович
RU2286614C1
Волноводное окно 1968
  • Федорцов Л.М.
SU270089A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ ИЗ ПИРОЛИТИЧЕСКОГО ГРАФИТА 1991
  • Коньков Н.В.
  • Парилова Г.А.
  • Земчихин Е.М.
  • Чепюк Л.И.
RU2024095C1

Реферат патента 1973 года АНТИДИНАТРОННОЕ ПОКРЫТИЕ

Формула изобретения SU 376 827 A1

SU 376 827 A1

Даты

1973-01-01Публикация