СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИДИНАТРОННОГО ПОКРЫТИЯ НА КЕРАМИКЕ Советский патент 1969 года по МПК H01J9/28 

При работе электровакуумных приборов большой мощности происходят перегрев и разрушение керамического диэлектрического вывода энергии, вызываемые вторичным электронным разрядом в выводе энергии. В настоящее время для подавления этого разряда керамику покрывают металлами (например, титаном) путем распыления в вакууме и диэлектриком с малым коэффициентом вторичной электронной эмиссии.

Известен способ получения антидинатронного. покрытия на керамике путем нанесения его на покрываемую поверхность с последующей термообработкой.

Металлические покрытия вызывают дополнительные омические потери, приводящие к дополнительному разогреву керамики, поэтому толщина распыленного металла должна быть строго ограничена, что технологически трудно осуществимо, особенно на изделиях сложной конфигурации.

В случае диэлектрического покрытия вторичный электронный резонансный разряд снижается, но при этом возможно постепенное накопление на поверхности диэлектрика электрического заряда, что может привести к возникновению скользящего разряда с керамики на металлическую манжету и к разрушению керамического изделия.

Предлагаемый способ получения антидинатронного покрытия на керамике отличается тем, что на керамические изделия наносят порошкообразную пятиокись ванадия (VoOj), которая после закрепления на керамике термической обработкой в восстановительной среде нри 1000-1500°С превращается в покрытие, представляющее собой полупроводник с высоким омическим сопротивлением и низким коэффициентом вторичной электронной эмиссии.

Преимущество этого способа состоит в том, что толщина покрытия может колебаться в щироких пределах из-за достаточно высокого омического сопротивления покрытия, не вызывающего существенных дополнительных электрических потерь керамики.

Кроме того, благодаря черному цвету покрытия увеличивается отвод тепла от керамики-подложки излучением.

Сущность предлагаемого способа состоит в следующем.

Порошкообразную пятиокись ванадия смешивают с биндером в мешалке. Полученную суспензию наносят на керамику окунанием, намазкой или распылением в зависимости от вида покрываемых изделий. Покрытие закрепляют термической обработкой в среде формиргаза или водорода при температуре 1000- 4 1500°С в зависимости от вида керамического материала. П пел мет изобоетения Х1редмег изоорегс-ния Способ получения антидинатронного покры-5 тил на керамике цутем нанесения его на нокрываемую поверхность с последующей тер3мообработкой, отличающийся тем, что, с целью снижения коэффициента вторичной эмиссии иоверхиости керамики и возможности накопления на ней электростатического заряда, наносят слой иятиокиси ванадия, а термообработку проводят в восстановительной среде при температуре 1000-1500°С.