ЗОЕСОЮЗ!-^ДЯ Советский патент 1973 года по МПК H01J1/26 

1

Изобретение относится к электровакуумному приборостроению и может найти применение при изготовлении кернов катодов.

Известны многослойные керны для оксидных катодов, содержащие слой активного сплава, плакированный с одной или двух сторон нвкелем или тугоплагжлм металлом, имеющим поликристаллическую структуру.

Плакирование активного сплава слоем чистого никеля или другого тугоплавкого металла осуществляется с целью задержки миграции восстанавливающих примесей при термообработке и для предотвращения сублимации примесей активного металла. Недостатком многослойных кернов с поликристаллической структурой плакирующего слоя является то, что поступление активатора осуществляется преимущественно по границам зерен, поэтому скорость и равномерность активирования катодов на этих кернах в значительной мере определяются размерами зерен и состоянием их границ. Р1звестно, что наименьщий коэффициент диффузии, стабильный по величине, наблюдается в монокристаллах.

Целью изобретения является стабилизация скорости поступления активных присадок в оксидный слой и устранение неравномерности его активирования.

Предлагается многослойный керн, содержащий активный сплав (например, сплав пикеля с 0,1-0,3% кальция, стронция или бария), плакированный с одной или двух сторон монокристаллом чистого металла (например, никелем или каким-либо другим тугоплавким металлом). Толщина плакирующего слоя определяется в зависимости от состава сплава и, например, для сплавов никеля с 0,1 -

0,3% кальция не превып ает 50-100 мкм.

Осуществляется плакирование активного слоя керна монокристаллом с выводом на поверхность керна той или иной кристаллографической плоскости (грани) монокристалла, можно добиться изменения тока эмиссии в широком диапазоне.

Предмет изобретен1ия

20

Оксидный катод, содержащий керн из активного снлава, плакированного Л1еталлом, отличающийся тем, что, с целью стабилизации скорости и повыщения равномерности поступления активатора в оксидный слой, плакирующий металл имеет монокристаллическую структуру, причем на новерхности керна расположена плоскость, соответствующая

оптимальному току эмиссии.