1
Изобретение относится ,к технологии изготовления нолуп-роводникавых лрибо;рОВ.
В .процессе п.роизводства планариых полупроводниковых приборов для защиты напыленных алюминиевых контактов от потемнения под пленку алюминия предварительно наносят слой титана толщиной 0,1-0,3 мкм. Способом фотолитографии на слое титана создают необходимый рисунок контактов. Части пленки тита«а, не защищенные фоторезистором, стравливают.
Известные составы для травления титана, содержащие сильные кислоты, либо омеся сильных кислот (серной, азотной, соляной; плавиковой и азотной), непригодны для такого стравлива-ния, так как пр.и этом травят и пленку фоторезистора и слой, тем самым разрущая полупроводниковые структуры.
Цель изобретения - разработка такого состава для травления титана, который обеспечивал бы полное снятие напыленного слоя титана без травления окисла и резиста.
Это достигается.тем, -что в состав, представляющий собой солянокислый, раствор, дополнительно введены аммонийные соли плавиковой и соляной кислот, образующие буферную смесь с рН 4-5. В растворе содержатся следующие компоненты: NH4C1- 10-15 г; NH4F- 1-1,5 г; HCl -0,2-0,5 мл; НгО - 90-100 мл; ТС - 65-70.
Травитель состава: аммоний хлористый- 10 г; аммоний фтористый - 1 г; соляная кислота - 0,2 мл; вода - 90 мл был опробован на приборах ГТ 328. Стравливали участки пленки титана толщиной 0,2-0,27 мкм при 60°С±5°С в течение 1,5-2 мин. При травлении титана пленка фоторезиста не разрушалась и титан под резистом не подтравливался. Поверхность слоя окисла в местах травления титана чистая, без пятен. Элементы полупроводниковых структур четкие.
Предмет изобретения
1.Травитель для снятия пленок титана, наносимых под алюминиевые контакты в планарных полупроводниковых приборах, содержащий соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения селективных свойств травителя, он содержит аммониевые соли соляной и плавиковой кислот.
2.Травитель ,по п. 1, отличающийся тем, что он содержит 10-15 вес. ч. хлористого аммония, 1,0-1,5 вес. ч. фтористого аммония на мл раствора.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления шаблона | 1982 |
|
SU1064352A1 |
Способ металлизации керамических изделий | 2021 |
|
RU2777312C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ПОДЛОЖКАХ CdHgTe | 1995 |
|
RU2097871C1 |
Способ создания антидиффузионного барьера на поверхности пластин из термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы | 2021 |
|
RU2758989C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1992 |
|
RU2068211C1 |
Способ изготовления датчиков водорода на МОП-транзисторах | 1990 |
|
SU1785049A1 |
СОСТАВ МЭ-4 ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ОКАЛИНЫ С ПОВЕРХНОСТИ ЦВЕТНЫХ МЕТАЛЛОВ И ИХ СПЛАВОВ | 1996 |
|
RU2096526C1 |
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ | 2013 |
|
RU2537743C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 2012 |
|
RU2515420C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ДАТЧИКА | 2011 |
|
RU2463688C1 |
Даты
1973-01-01—Публикация