1
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения магнитных моиокристаллических материалов.
Известна шихта для получения монокристаллов с намагниченностью насыщения 1750гс.
Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем огран.ичен-ия требуются монокристаллы с более высоким, чем у иттрийжелезного граната значением иамагниценности насыщения при сохранении узкой линии ферромагнитного резонанса.
Цель изобретения - разработка состава для выращивания монокристаллов с общей формулой i|)3Fe5-xScxOi2 (при х не более 0,7), обладающих повышенной намагниченностью насыщения, узкой линией ферромагнитного резонанса .и высоким удельным электросопротивлением.
Это достигается тем, что в «сходную шихту вводят окись скаидия при следующем соотношении компонентов, вес. %: а1з2Оз 6,19-6,18; РеаОз 13,48-13,12; ЗсгОз 0,94-1,26; РЬО 34,63-34,65; PbFg 44,76-44,79.
Пример. Шихту, содержашую, г: 2Оз 13,55; РеаОз 28,74; ЗсгОз 2,76; РЬО 75,89; РЬРз 98,08, перемешивают путем вибропомола, загружают в платиновый тигель емкостью 160 см, закрывают платиновой крышкой и помещают .в печь для выращивания монокристаллов. Печь нагревают до 1300°С со скоростью по 150°/час, с выдержкой при 1300°С в течение 10 час. Раствор - расплав охлаждают до 1250°С со скоростью 5°С/час, до 1200°С 1°/час, до 1050°С 0,5°/час, до 950°С ,5°/час, а затем вместе с выключенной печью. Отделение кристаллов от застывшего расплава производят путем длительного кипячения в водном растворе азотной кислоты.
Предмет изобретения
Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов иа основе иттриевого феррограната кристаллизацией из раствора в расплаве в присутствии окиси свинца и фтористого свинца, отличающаяся тем, что с целью увеличения намагниченности насьицения феррогранатов при сохранении узкой линии ферромагнитного резонанса, в исходную шихту вводят окись скандия при следующем соотношении компонентов, вес. %: 6,19-6,18; РеаОз 13,48-13,12; ЗсаОз 0,94-1,26; РЬО 34,63-34,65; PbFs 44,76-44,79.
