ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИТТРИЙ-ЖЕЛЕЗНОГО ГРАНАТА Советский патент 1973 года по МПК C30B9/12 C30B29/28 

Изобретение относится к области .химической технологии и касается получения монокристаллов магнитных полупроводниковых материалов. Известна шихта для выращивания монокристаллов иттрий-железного граната (ИЖГ) следующего состава (вес. %): 11,ОЗУ2Оз15,65 Ре20з-39,3 РЬО-32,15 PbF2-18,2 В2Оз 0,05 СаСОз. Однако значение коэффициента исиользования окиси иттрия, рассчитанное как отношение всех полученных кристаллов к теоретически возможному весу, не превышает 0,5. Цель изобретения - определение более экономичных шихтовых составов, позволяюших иметь значение q в пределах 0,7-0,85 при одновременном увеличении доли наиболее крупных кристаллов ИЖГ до 80-90 вес. %. Это достигается введением в исходный состав шихты двуокиси свинца и следующим изменением соотношения остальных компоиентов шихты (вес. %): YzOs 5,4-1,08; Ре2Оз 11,42-17,55; РЬО 30,9-34,18; РЬР2 33,,60; В2Оз 2,36-2,7; РЬО2 7,25-7,65; СаСОз 0,01-0,05. Пример. Шихту, содержащую 22,58 20з; 23,95 Ре20з; 67,65 РЬО; 73,51 РЬР2; 5,22 В2Оз; 16,0 РЬОа; 0,1 СаСОз, перемешивают путем вибропомола, загружают в платиновый тигель емкостью 160 см тигель закрывают крышкой и помещают в нечь. Печь нагревают до 1300°С, выдерживают при этой температуре 10 час, затем охлаждают до 1250°С со скоростью о°/час, от 1250° до 900° со скоростью 0,5;-2°/iOC, а злтем тигель охлаждается в reсте с выключенной печью. Извлечение кристаллов производится кипячением тигля с содержимым в 25%-ном водном растворе азотной кислоты. Предмет изобретения Шихта для выращивания монокристаллов иттрий-л елезного граната путем кристаллизации из раствора компонентов 2Оз, Ре2Оз, СаСОз в раснлаве РЬО-РЬР2-В20з- от.гичаю1цаяся тем, что, с целью увеличения коэффициента нспользоваиия окиси иттрия и повышения выхода крупных кристаллов, в ши.хту вводят двуокись свница, а исходиые компенеиты берут в следуюи1ем соотношении, вес. %: