ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕКСАФЕРРИТА BaaMgaFeioOzs Советский патент 1973 года по МПК C30B9/12 C30B29/22 

Изобретение относится к получению Ba2Mg2Fei2O22 ферромагнитных гексагопальпых монокристаллических материалов, применяемых Б различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин воли. Известна шихта для выращивания монокристаллов гексаферрита Ba2Mg2Fei2O22 па основе окиси железа, углекислого бария, окиси магпия и соединения, образующего растворитель. При этом отмечается малая магнитная добротпость монокристаллов. Для получения мопокристаллов с высокой магнитной добротностью ( э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты брать в следующих отношениях (в вес. %); железа 30,9-31,0 58,2-58,0 Углекислый барий Окись магния 2,5-2,6 Окись бора 8,3-8,5 Пример. Смесь исходных компонентов, состоящую из Ре2Оз, ВаСОз, MgO и ВоОз, взятых в отношениях (в вес. Ре2Оз ВаСОз MgO подвергают вибропомолу п помещают в печь ДЛИ выращивания .монокристаллов. Печь нагревают до температуры 1310°С со скоростью 50°С/час и выдерживают при этой температуре в течение 24 час. Охлаждение расплава производят со скоростью 0,5-ГС/час до 800°С, затем печь отключают. Из застывшего раствора извлекают монокристаллы кипячением в разбавленной азотной кислоте. Полученные монокристаллы имеют форму гексагональных пластин, намагниченность насыщения 1490 ГС, поле анизотропии 9800 э, ширипа линии ферромагнитного резонанса 28 э, температура Кюри 280°С. Предмет изобретения Шихта для выращивания монокристаллов гексаферрнта Ba2Mg2Fei2O22 на основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего растворитель, отличающаяся тем, что, с целью получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью ( э), в качестве соединения, образующего растворитель, используют окись бора, а исходные компоненты берут в следующих соотношениях Окись железа 30,9-31,0 Углекисльп бар:нй 58,0-58,2 Окись магння 2,5-2,6 Окись бора 8,3-8,5