СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА НА ОСНОВЕ ИНДИЯ Советский патент 1973 года по МПК C25D3/56 

1

Изобретение относится :К области гальва«ических покрытий, в частности к электролитическому осаждению сплава на основе индия.

Известен электролитический способ осаждения сплава на основе индия из электролита, содержащего соль индия.

Предлагаемый способ отличается тем, что с целью получения качественных осадков сплава ипдий - марганец в электролит вводят сернокислые соли марганца, аммо-ния, трилоп Б при следующем соотношении компоненToiB, г/л:

Сернокислый индий (в пересчете

на металл)2-15

Сериокислый маргаиец16-140

Трилон Б50-80

Сернокислый аммоний100-120

и процесс ведут при рИ 3,5-6, температуре 18-25°С, плотности тока 0,5-3 а/дм.

Изменяя соотнощение компонентов электролпта п плотность тока, получают сплав с содержанием от 25 до 63% марганца нри выходе ПО току более 60%. С уменьщепием соотнощения индия к марганцу в электролите увеличивается процент содержания марганца в сплаве.

Пример 1. Из электролита, содержащего, г/л: Сернокислый индий (в пересчете

на металл). 7,5

Сернокислый марганец 16

Сернокислый аммоний100

Трилон Б50

при рИ 3,5-6, комнатной температуре и плотности тока 1 а/дм- получают сплав с содержанием 39% марганца.

Пример 2. Из электролита, содержащго, г/л: Сернокислый индий (в пересчете

на металл)7,5

Сернокислый марганецПО

Сернокислый аммоний100

Трилон Б60

при рИ 3,5-6, комнатной температуре и плотности тока 1 а/дм получают сплав с содержанием 60% марганца п 40% индия.

Предмет изобретения

Способ электролнтпческого осаждения сплава на основе пндия нз электролита, содержащего соль индия, отличающийся тем, что, с целью получения качественных осадков сплава индий-марганец, в электролпт вводят сернокислые соли марганца, аммония, трилон Б, при следующем соотнощенни колшонентов, г/л:

Сернокислый индий (в пересчете на металл)2-15

Сернокислый марганец16-140

Трилон Б50-80

. Сернокислый а моний100-120

и процесс ведут при рН 3,5-б,- температуре 18-25°С, плотности тока 0,5--3 а/дм-.