УСТРОЙСТВО для МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО Советский патент 1973 года по МПК G06G7/48 

1

Изобретение относится к информационной технике и может быть применено при конструировании электронных вычислительных машин, телевизионных систем распознавания образов и т. д.

Известны устройства для моделирования потенциального рельефа, содержащие печатные элементы, соединенные с контактными выводами.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно содержит матрицу диэлектрических линеек с пазами и контактными площадками, между которыми расположены печатные элементы, а диэлектрические линейки соединены в пазах и местах контактных площадок.

Такое выполнение устройства позволяет улучшить его технологичность.

На фиг. 1 изображена резистивная матрица предлагаемого устройства, предназначенная для имитации оптической расфокусировки на плоскости изображения; на фиг. 2 - одна из диэлектрических линеек матрицы.

Устройство для моделирования потенциального рельефа содержит матрицу диэлектрических линеек 1 (см. фиг. 2) с контактными площадками 2, активные или пассивные элеме 1ты 3, 4, например резистивные пленки (печатные элементы), нанесенные с разных сторон диэлектрической линейки. Диэлектрические линейки соединяются при помощи пазов 5 и образуют ячейки 6 (см. фиг. 1). Контактные площадки 2 служат для пайки контактных выводов 7.

Устройство работает, нанример, в комплексе радиоэлектронной анпаратуры и служит для упорядоченной передачи электрического сигнала. Сигна.л подается на один или несколько контактных выводов одной стороны

матрицы и снимается с контактных выводов другой стороны матрицы, при этом величина снятых электрических сигналов будет отражать «расфокусировку потенциального рельефа первой стороны матрицы. В зависимости

от конкретной схемы соединения пассивных или активных элементов между контактными площадкамп возможно построение различных функциональных матриц.

Устройство работает следующим образом. На диэлектрические линейки, изготовленные на основе фольгированного гетинакса, стеклопластика и т. п., одним из известных методов наносят, нанример, резистивные

пленки. Из диэлектрических линеек собирается матрица, причем пазы в линейках имеют различную длину, если число линеек, сходящихся в одном контактном выводе, больше двух. Контактные выводы пропаиваются, например методом групповой пайки, а матрица Может быть залита соответствующим компаундом. Предмет изобретения

Устройство для моделирования потенциаль- 5Жены,.,шечатнь1е, элементы, а диэлектрические

ного рельефа, содержащее печатные эле- линейк-и,,%веаинеяь1 в пазах и местах конменты, соединенные с контактными вывода-тактнухnJi8til.a-flpK.,

.,:.-/Гми, отличающееся тем, что, с целью улучшения технологичности, оно содержит матрицу диэлектрических линеек с пазами и контактными нлощадками, между которыми расноло

N

и

Фиг.. 1