Установка для вакуумного напыления Советский патент 1980 года по МПК H01L7/68 

Описание патента на изобретение SU402324A1

Изобретение относится к вакуумной технике, в частности к устройствам для получения тонких полупроводниковых слое испарением в вакууме. Известно устройство, позволдаощее получать полупроводниковые слои большой протяженности. Исходное полупровод никовое вещество загружается один раз перед откачкой непосредственно в испаритель. При достижении вакуума под кол паком разогревается испаритель, и полупроводниковый слой напыляется на прозрачную ленту через ограничительную мас ку. Испарители прик еняют двух типов: с косвенным разогревом и непосредсгВШ1НЫМ разогревом. Известное устройство не обеспечивает получение полупроводниковых слоев на длинных лентах с заданными постоянным параметрами ввиду фракционирования бинарных и более сложных полупроводниковых соединений, так как длительное нахождение таких соединений при температуре испарения приводит к изменению состава испаряемого ветцества за счет уменьшения во времени концентрации легколетучей компоненты. Кроме того невозможно получать длинные тонкие слои, так как время испарения ограничено размерами испарителя, а увеличивать размеры невозможно, поскольку очень трудно разогревать большие объемы. В известном устройстве по мере уменьшения испаряемого вещества, помещенного в испаритель, меняется температура испарителя, следовательно, меняется скорость испарения. Цель изобретения - создание устройства, обеспечивающего напыление полупроводниковых воцеств, однородных по свойствам, на длинные ленты с постоянной заданной толщиной и уменьшение потерь полупроводникового вещества. Это достигается тем, что между дном бункера, имеющим отверстия, и испарителями размещен вращающийся вал с екпсостями и направл5пощие желоба, при этом емкости вращающегося вала сметены друг огноситепьно друга на ЬЪСУуН, где п/ - число испаригепей, а направляющие желоба снабжены средствами перемацения. На чертеже изображена предлагаемая установка. Установка для вакуумного напьшенин сосгокт из бункера I с испаряемым веществом, лентопротяжного механизма 2 и расположенных под ним испарителей 3. В нижней части бункера выполнены отверстия 4, число которых равно числу испарителей. Через эти отверстия испаряемый материал подается в лунки 5 на поверхности вращающегося вала 6i сообщаемые с испарителями через направляющие желоба 7. Над испарителями установ лен тепловой экран 8 с нагревательной спиралью 9 по внешней стороне, обеспечивающкй уменьшение потерь испаряемого вещества и увеличение скорости напыления. Размеры лунок 5 выбраны такими, чтобы исходное вещество, заполняющее эти лунки, при рассыпании движущимися желобами 7 равномерно распределялось по поверхности испарителей 3, длина которых равна ширине напыляемой поверхности. Ограничитель бункера 10 вырввнивает поверхность вещества в лунке 5. Работает устройство следующим образом. Измельченное полупроводниковое вещество загружают в бункер дозатора, ле ту устанавливают в лентопротяжный межанизм. Создают вакуум, включают испа рители и устанавливают температуру испарения; задают скорость движения ленгты и включают дозатор. При вращении вала дозатора пунка проходит под отверс тием в бункере, и исходное вещество за полняег яе. При дальнейшем вршцоиии вала дозатора огран1гчиголь бункера выравнивает поверхность вещества в лунке, которое затем через подвижный желоб радномерно рассыпаетх;я по поверхности соответствующего испарителя. Скорость вретенкя вала дозатора и скорость испарения веигества подбираются такими, чтобы к моменту поступления новой дозы вещества в испаритель в последнем практически все вещество испарилось. За счет последовательности и цикличности работы сист ы дозатор - испарители уменьшение испаряемой поверхности вещества в одном из испарителей компенсируется добавкой вещества в другой испаритель, так что суммарная поверхность испарения остается постоянной. Формула изобретения Установка для вакуумного напыления полупроводниковых слоев, содержащая лентопротяжный механизм с расположенными под ним испарителями и устройство загрузки испаряемого вешества с бункером, отличающаяся тем, что, с целью получения однородных слоев с постоянными электрофизическими свойствами и толщиной при напылении на .длинную ленту, в устройстве загрузки между дном бункера, нмиощим отверстия по числу испарителей, и испарителя н размещен вращающийся вал с емкостями и направлшощие желоба, при этом емкости вращающегося вала смешены друг относительно друга на ЬЫЛм , где п числоиспарителей, а направляющие желоба снабжены средствами перемещения.

Похожие патенты SU402324A1

название год авторы номер документа
Устройство для нанесения покрытийНА длиННОМЕРНыЕ пОдлОжКи 1978
  • Панасюк Лев Моисеевич
  • Ишимов Виктор Михайлович
SU804719A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК 2009
  • Шенгуров Владимир Геннадьевич
  • Светлов Сергей Петрович
  • Чалков Вадим Юрьевич
  • Денисов Сергей Александрович
RU2411304C1
Устройство для термического испарения материалов в вакууме 1979
  • Мачюлайтис Чесловас Владс
  • Мишкинис Пранас Пятро
  • Гружинскис Викторас Юозапо
SU863717A1
УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ 2011
  • Шенгуров Владимир Геннадьевич
  • Светлов Сергей Петрович
  • Чалков Вадим Юрьевич
  • Денисов Сергей Александрович
  • Шенгуров Дмитрий Владимирович
RU2473147C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1982
  • Левченко Г.Т.
  • Тарасов Г.П.
SU1077334A1
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СЛЕДОВ ПАЛЬЦЕВ РУК 1997
  • Матов О.Р.
  • Федоренко В.А.
RU2120233C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО МНОГОСЛОЙНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОВЕРХНОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА И УСТАНОВКА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА 1997
  • Гонопольский А.М.
RU2133049C1
Вакуумная камера для селенирования электрофотографического барабана 1978
  • Гинько Александр Михайлович
  • Клюшин Анатолий Сергеевич
  • Шнейдман Исаак Борисович
  • Лайшевский Виталий Александрович
SU947809A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОЛИМЕРНЫХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1991
  • Белов Владимир Григорьевич
  • Иванов Владимир Анатольевич
  • Иванов Валерий Анатольевич
  • Нагоев Теморлан Хусейнович
RU2051200C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ И ОПТИЧЕСКИ НЕЛИНЕЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ 1993
  • Гончарова Ольга Викторовна[By]
  • Демин Андрей Васильевич[Ru]
RU2089656C1

Иллюстрации к изобретению SU 402 324 A1

Реферат патента 1980 года Установка для вакуумного напыления

Формула изобретения SU 402 324 A1

SU 402 324 A1

Авторы

Панасюк Л.М.

Прилепов В.Д.

Даты

1980-10-07Публикация

1971-10-19Подача