Изобретение относится к вакуумной технике, в частности к устройствам для получения тонких полупроводниковых слое испарением в вакууме. Известно устройство, позволдаощее получать полупроводниковые слои большой протяженности. Исходное полупровод никовое вещество загружается один раз перед откачкой непосредственно в испаритель. При достижении вакуума под кол паком разогревается испаритель, и полупроводниковый слой напыляется на прозрачную ленту через ограничительную мас ку. Испарители прик еняют двух типов: с косвенным разогревом и непосредсгВШ1НЫМ разогревом. Известное устройство не обеспечивает получение полупроводниковых слоев на длинных лентах с заданными постоянным параметрами ввиду фракционирования бинарных и более сложных полупроводниковых соединений, так как длительное нахождение таких соединений при температуре испарения приводит к изменению состава испаряемого ветцества за счет уменьшения во времени концентрации легколетучей компоненты. Кроме того невозможно получать длинные тонкие слои, так как время испарения ограничено размерами испарителя, а увеличивать размеры невозможно, поскольку очень трудно разогревать большие объемы. В известном устройстве по мере уменьшения испаряемого вещества, помещенного в испаритель, меняется температура испарителя, следовательно, меняется скорость испарения. Цель изобретения - создание устройства, обеспечивающего напыление полупроводниковых воцеств, однородных по свойствам, на длинные ленты с постоянной заданной толщиной и уменьшение потерь полупроводникового вещества. Это достигается тем, что между дном бункера, имеющим отверстия, и испарителями размещен вращающийся вал с екпсостями и направл5пощие желоба, при этом емкости вращающегося вала сметены друг огноситепьно друга на ЬЪСУуН, где п/ - число испаригепей, а направляющие желоба снабжены средствами перемацения. На чертеже изображена предлагаемая установка. Установка для вакуумного напьшенин сосгокт из бункера I с испаряемым веществом, лентопротяжного механизма 2 и расположенных под ним испарителей 3. В нижней части бункера выполнены отверстия 4, число которых равно числу испарителей. Через эти отверстия испаряемый материал подается в лунки 5 на поверхности вращающегося вала 6i сообщаемые с испарителями через направляющие желоба 7. Над испарителями установ лен тепловой экран 8 с нагревательной спиралью 9 по внешней стороне, обеспечивающкй уменьшение потерь испаряемого вещества и увеличение скорости напыления. Размеры лунок 5 выбраны такими, чтобы исходное вещество, заполняющее эти лунки, при рассыпании движущимися желобами 7 равномерно распределялось по поверхности испарителей 3, длина которых равна ширине напыляемой поверхности. Ограничитель бункера 10 вырввнивает поверхность вещества в лунке 5. Работает устройство следующим образом. Измельченное полупроводниковое вещество загружают в бункер дозатора, ле ту устанавливают в лентопротяжный межанизм. Создают вакуум, включают испа рители и устанавливают температуру испарения; задают скорость движения ленгты и включают дозатор. При вращении вала дозатора пунка проходит под отверс тием в бункере, и исходное вещество за полняег яе. При дальнейшем вршцоиии вала дозатора огран1гчиголь бункера выравнивает поверхность вещества в лунке, которое затем через подвижный желоб радномерно рассыпаетх;я по поверхности соответствующего испарителя. Скорость вретенкя вала дозатора и скорость испарения веигества подбираются такими, чтобы к моменту поступления новой дозы вещества в испаритель в последнем практически все вещество испарилось. За счет последовательности и цикличности работы сист ы дозатор - испарители уменьшение испаряемой поверхности вещества в одном из испарителей компенсируется добавкой вещества в другой испаритель, так что суммарная поверхность испарения остается постоянной. Формула изобретения Установка для вакуумного напыления полупроводниковых слоев, содержащая лентопротяжный механизм с расположенными под ним испарителями и устройство загрузки испаряемого вешества с бункером, отличающаяся тем, что, с целью получения однородных слоев с постоянными электрофизическими свойствами и толщиной при напылении на .длинную ленту, в устройстве загрузки между дном бункера, нмиощим отверстия по числу испарителей, и испарителя н размещен вращающийся вал с емкостями и направлшощие желоба, при этом емкости вращающегося вала смешены друг относительно друга на ЬЫЛм , где п числоиспарителей, а направляющие желоба снабжены средствами перемещения.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для нанесения покрытийНА длиННОМЕРНыЕ пОдлОжКи | 1978 |
|
SU804719A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК | 2009 |
|
RU2411304C1 |
Устройство для термического испарения материалов в вакууме | 1979 |
|
SU863717A1 |
УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2473147C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ | 1982 |
|
SU1077334A1 |
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СЛЕДОВ ПАЛЬЦЕВ РУК | 1997 |
|
RU2120233C1 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО МНОГОСЛОЙНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОВЕРХНОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА И УСТАНОВКА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА | 1997 |
|
RU2133049C1 |
Вакуумная камера для селенирования электрофотографического барабана | 1978 |
|
SU947809A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОЛИМЕРНЫХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ | 1991 |
|
RU2051200C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ И ОПТИЧЕСКИ НЕЛИНЕЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ | 1993 |
|
RU2089656C1 |
Авторы
Даты
1980-10-07—Публикация
1971-10-19—Подача