СПОСОБ РАЗРЕЗАНИЯ ЗАГОТОВОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВВ П Т Бff>& П ц ц V'' f "! г. fj т f» о4-Ue!4 U :;i-b../ I Ud Советский патент 1974 года по МПК B28D1/04 B28D5/02 

Изобретение относится к области разрезания неметаллических, преимущественно, иолуироводниковых, материалов на пластины алмазным кругом с внутренней режущей кромкой.

Известен способ разрезания заготовок полупроводниковых материалов на пластины алмазным кругом с внутренней режущей кромкой, при котором заготовку подают на режущую кромку круга по прямолинейной траектории с постоянной скоростью подачи, которая несколько уменьшает возможность появления сколов на кромках пластин в сравнении с общепринятой подачей с постоянным усилием резания в отрезных станках.

Недостатками известного способа являются: низкая производительность, так как за однн рабочий ход можно отрезать 1-2 пластины, а кроме того, для повторения рабочего хода затрачивают вспомогательное время на холостой ход и поперечную подачу, что в сумме составляет значительную долю операционного времени; и значительный процент брака при разрезании хрупких материалов из-за сколов на выходе режущей кромки инструмента, обусловленных недостаточной поперечной устойчивостью его.

Целью изобретения является повышение производительности и уменьпление сколов на кромках нластин.

Для этого по предложенному способу заготовки подают по спирали относительно оси вращения круга, перемещая их непрерывно одну за другой.

Предложенный способ иллюстрируется чертежом.

Режущую кромку 1 алмазного отрезного круга вращают со скоростью VK,,., а заготовки 2 перемещают по спирали 3 относительно оси вращения круга с заданной скоростью Vn-л, которая обеспечивает необходимую подачу на врезание S const. При этом в контакте с режущей кромкой инструмента находится несколько заготовок одновременно, и нроцесс резания может протекать непрерывно.

Спираль 3 описывается уравнение: 1;

где R - расстояние любой точки спирали

ее центра (начала); а - шаг спирали, т. е. смещение точки

один оборот;

Ф - угловое перемещение точки. Отсюда, минутную подачу на врезание ределяют по формуле:

еа

о-си --. л-п.

1т.

где со - угловая скорость заготовки;

п - число оборотов заготовки в мин.

Таким образом, при определенном шаге а спирали подача 5 прямо пропорциональна числу оборотов заготовки п вокруг центра (начала) спирали, который в рассматриьаемом случае лежит на оси враш,ения круга.

Применение предложенного способа увеличивает производительность процесса резания полупроводниковых материалов, так как в контакте с кругом находится одновременно несколько заготовок и процесс резания протекает непрерывно. Кроме того, предложенный способ позволяет снизить количество сколов на кромках отрезаемых пластин вследствие более благоприятных условий работы инструмента и увеличения его поперечной устойчивости в результате изменения кинематики подачи заготовок и равномерного распределемня нагрузки на режущую кромку.

Предложенный способ также позволяет использовать при резании круги как с внутренней, так и с наружной режущей кромкой, для чего достаточно изменить направление дв.1жеНИИ заготовок 1/„.з но спиральной траектории.

Предмет изобретения

Способ разрезания заготовок полупроводниковых материалов на пластины алмазным кругом с внутренней режущей кромкой путем вращения круга и подачи заготовок, о т л ич а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения

производительности и уменьшения сколов на кромках пластин, заготовки подают по спирали относительно оси вращения круга, перемещая их непрерывно одну за другой.