КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1974 года по МПК C04B35/465 

1

Изобретение относится к материалам, используемым в радиоэлектронике.

Известен материал на основе MgTiOs с добавкой ЬагОз.

Цель изобретения - обеспечение стабильности стехиометрического состава, снижение температуры спекания, расширение интервала спекания.

Достигается это тем, что материал дополнительно содержит АЬОз, Si02 при следующем соотношении указанных компонентов ();

Основа MgTiOa 0,20-0,30 Ьа2Оз 0,15-0,20 АЬОз 0,30-0,35. SiOa

Материал спекается

в широком интервале (1350-1450°С) и характеризутемпературется стабильным составом.

Пример 1. Для получения 100 г материала состава MgTiO3 с добавками (вес. %) АЬОз О, 20, SiO2 0,35, ЬааОз 0,20 готовят смесь исходных компонентов в следуюш,их соотношениях (в г);

MgO33,28

TiOa65,97

АЬОз0,20

SiOz0,35

Ьа2Оз0,20.

Окислы предварительно перемешивают с

этиловым спиртом в течение двух часов в

стальной шаровой мельнице, а затем обжигают при температуре 1200°С в течение 8 час. Пример 2. Для получения 100 г материала состава MgTiOa с добавками (вес. %) АЬОз 0.20, SiO, 0,35, Ьа20з 0,20 готовят смесь азотнокислых (сернокислых) растворов в следуюш,их соотношениях:

0,825 моль раствора магния азотнокислого (сернокислого) концентрацией 2,0-3,0 моль/л;

0,825 моль раствора титана азотнокислого (сернокислого) концентрацией 1 моль/л;

0,002 моль в виде азотнокислого (сернокислого) раствора;

0,006 моль Ьа20з в виде азотнокислого (сернокислого) раствора;

0,006 моль SiOa в виде геля кремневой кислоты.

Смесь подвергают распылительной сушке при температуре 250°С на выходе, а затем прокалке при температуре 800-900°С в течение 3-4 час.

Свойства предложенного материала следующие:Наименьшая температура

спекания, °С1350

Интервал температур спекания, °С1350-1450 ТКе-10 +100 Диэлектрическая проницаемость16,5

Потери tg6-10 (до увлажнения)1,4

tg6-10 (после увлажнения)1,4.

Предмет изобретения

Керамический материал, включающий MgTiOs, Ьа20з, отличающийся тем, что,

с целью снижения температуры спекания, расширения интервала спекания, он донолнительно содержит АЬОз, Si02 при следующем соотношении указанных компонентов (в

%): вес.

Основа

MgTiOs 0,20-0,30

Ьа20з 0,15-0,20

АЬОз 0,30-0,35.

SiOa