СПОСОБ ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ Советский патент 1974 года по МПК H01L21/316 

1

Изобретение относится к технологии производства .полупроводниковых приборов, в частности жремниевых интегральных схем. Оно может быть применено для изготовления легирующих окисных пленок на кремнии, при создании полевых приборов с изолированным затвором и т. д.

Известен способ окисления кремния в открытой системе на воздухе в присутствии окиси свиНца прИ температуре 725° С. Увеличение температуры до 800° С и выше не ускоряет процесса роста окисной пленки.

Предлагаемый способ отличается тем, что в окислительную среду водят пары соедилений элементов Ilia группы, нанример хлоридов галлия и индия. Это ускоряет процесс.

Окисление проводят в реакторе, аналогичном тому, который применяется при известном способе. В качестве окислительной среды используют смесь сухото и влажного кислорода.

Пример. Кремниевые пластины помешают в кварцевую трубу с двумя газовыми вводами. Один служит для подачи увлажненного кислорода непосредственно в зону окисления кремния, другой - для ввода сухого кислорода, транспортируюш,его пары хлоридов галлия и индия к окисляемой поверхности. Трубу помещают в двухзонную печь так, чтобы лодочка с хлоридом, расположенная в непосредственной близости от ввода сухого кислорода, нагревалась до 750-800° С, а окисляемые пластины - до 1050-1150° С.

Скорость роста окисных пленок на кремнии увеличивается в присутствии хлоридов галлия и индия примерно в 2 раза по сравнению с окислением в увлажненном кислороде и в 1,7 раза но сравнению с окислением известным способом.

Предмет изобретения

Способ окисления кремния, предусматривающий введение соединений прнмесных элементов в окислительну1о среду, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости окисления, в окислительную среду вводят пары соединений элементов Ilia группы, например хлорида галлия и индия.