Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике Советский патент 1979 года по МПК G01N23/02 

Описание патента на изобретение SU432797A1

Изобретение относится к области экспериментальной и технической фнзики.

Известен электрохимический снособ генерацин дырок в диатектриках, использующий пропускание тока с яластины катода иа острне анода через нагретый диэлектрик, в результате чего нз диэлектрика вытягиваются электроны, что приводит к образованию дырок в основной зоне энергии к устойчивых дырочных центров окраски.

Недостаткамн электрохимического способа окрашивания днэлектрика являются: неравномерная плотность генераш1и дырочных центров окраскн, зависнмость процесса окрашивания от электрофизических свойств обрабатываемых диэлектриков, трудности в практнческой реализации способа, требующего прнменення сложного устройства с жестким рабочим режимом. Кроме того, способ электрохимического окрашивания сопровождается изменениями в химическом составе образца, так как происходит вынос нз горячего диэлектрика ионов примеси за счет диффузии ионов из материала электродов, находящихся в контакте с поверхностью обрабатываемого диэлектрика.

Цель, изобретения - разработка бесконтактного способа геверация дырок в диэлектриках любого типа и состава, позволяющего получить равномерную концентрацию устойчивых чисто дырочних центров окраскн.

Поставленная цель достигается облучением Диэлектрика потоком позитронов, что приводит к созданию избыточной коицентрагции дырок, Н последующим отжигом облученного диэ.чектрика, позволяющим выделить чисто дырочные устойчивые центрыокраскн.,

При прохождении потока позитронов через вещество происходит термалнзации позитронов в ионизирующих столкновениях с атомами вещества н образование равновесной концентрации как ствбодных электронов, так и эффективных дырок в валентной зоне. Образовавшиеся таким образом электроннодырочные пары способны к последующей рекомбинации, а также участвуют в образования электронных и дырочных центров окраскн. Термализованные позитроны в конечном итоге аннигилируют с электронами вещества, причем этот процесс заключается в превращении электронно-позитронных пар в кванты электромагнитного излучения, в

результате чего на месте проаннигилированкого электрона образуется эффективная дырке. При продолжительном времени облучения позитронами от протяженного источника в диэлектрике накапливается равномерно распределенная концентрация дырок. Последующий отжиг облученного диэлектрика от определенной температуры, известной для большинства диэлектриков, приводит к рекомбинации электронов и дырок, находящихсй в равновесной концентрации, к отжигу элeкtpoниыx и дырочных центров окраски, генерированных в ионизирующих столкновениях. В результате этого в диэлектрике

остаются устойчивые чисто дырочные центры, наведенные в процессе аннигиляции позитронов, способные существовать в течение длительного времени.

Формула изобретения

Способ генерации дырочных центров - краскн в диэлектрике, отличающийся тем, что, с целью создания устойчивых дырочных центров, диэлектрик облучают потоком позитронов и затем производят отжиг облученного диэлектрика.

Похожие патенты SU432797A1

название год авторы номер документа
Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике 1976
  • Арефьев К.П.
  • Арефьев В.П.
  • Воробьев С.А.
SU584626A2
Способ обработки щелочногалоидных монокристаллов 1980
  • Гектин А.В.
  • Чаркина Т.А.
  • Ширан Н.В.
SU949984A1
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНОГО ЛАЗЕРНОГО ЗАТВОРА 1990
  • Непомнящих А.И.
  • Токарев А.Г.
  • Фигура П.В.
  • Черняго Б.П.
  • Пензина Э.Э.
  • Попов Л.Г.
RU2023064C1
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ КМОП-СХЕМ НА КНИ ПОДЛОЖКЕ 2003
  • Кузнецов Евгений Васильевич
  • Рыбачек Елена Николаевна
  • Сауров Александр Николаевич
RU2320049C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА СВИНЦА 2002
  • Девицин Е.Г.
  • Заднепровский Б.И.
  • Козлов В.А.
  • Нефёдов В.А.
  • Полянский Е.В.
  • Поташов С.Ю.
  • Теркулов А.Р.
RU2202011C1
Способ обнаружения радиационных дефектов в диэлектриках и устройство для его осуществления 1980
  • Андрющенко А.В.
  • Панова А.Н.
  • Стадник П.Е.
  • Денисов Р.А.
  • Гурьев В.А.
  • Осипов А.Д.
SU927036A1
ИНЖЕКТИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНЖЕКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ 1992
  • Жолкевич Герман Алексеевич
RU2115270C1
Способ измерения скорости поверхностной генерации-рекомбинации 1981
  • Болгов Сергей Семенович
  • Малютенко Владимир Константинович
  • Медвидь Артур Петрович
  • Пипа Виктор Иосифович
SU987712A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕНСОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2014
  • Елин Владимир Александрович
  • Меркин Михаил Моисеевич
  • Голубков Сергей Александрович
  • Литош Любовь Григорьевна
  • Русина Вера Анатольевна
RU2575939C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ 1983
  • Иванов Н.А.
  • Михаленко А.А.
  • Парфианович И.А.
  • Хулугуров В.М.
  • Чепурной В.А.
  • Шкадаревич А.П.
  • Шнейдер А.Г.
SU1152475A1

Реферат патента 1979 года Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике

Формула изобретения SU 432 797 A1

SU 432 797 A1

Авторы

Арефьев К.П.

Воробьев С.А.

Даты

1979-01-15Публикация

1972-12-18Подача