Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок Советский патент 1974 года по МПК C23C14/14 H01F10/20 H01F41/20 

Изобретение относится к электроипой технике. Известен способ изготовления сегнетоэлектрических пленок дискретным испарением. Прежние способы дискретного испарения не обеспечивали фор.мировапйя достаточно совершенной структуры пленок, поэтому их сегнетоэлектрические свойства были слабо выражены, а для толщин, менее 1000 А, вообще не обнаружено пика температурного хода диэлектрической проницаемости и петли диэлектрического гистерезиса. Цель изобретения - улучшение сегнетоэлектрических свойств пленок и уменьшение их толщины. Существо предлагаемого способа заключается в том, что в качестве исходного материала берут керамику, например, иа основе титаната бария пестехиометрического состава с определенным дефицитом по барию, предварительно синтезированную по керамической технологии, и проводят ее дискретное испарение с последующей конденсацией на подогретую подложку. В процессе конденсации в пленке формируется кристаллическая структура перовскитпого типа, принадлежащая микрокристаллам, вкрапленным в неупорядоченную матрицу, такое строение пленок обусловливает более резкие аномалии б(/), петли диэлектрического гистерезиса, близкие к насыщению, меньшие диэлектрические потери. Пример. Шихту, составом 0,3 ВаО-0,008 SrO-l ТЮа, обжигают при 1300°С 60 мин, затем тщательно измельчают, дискретно испаряют и конденсируют со скоростью 9 А/сек на подложку, нагретую при t 85Q°C. Параметры полученной пленки (Bao.gSro.i) ТЮз, толщиной 3000 А, представлены на чертеже. Температурный ход диэлектрической проницаемости и потерь , максимальная проницаемость до 1200, потери на 1 кгц 0,8-1. На чертеже 1-s и tg6 пленки, полученной предлагаемым способом; 2-s и tg6 пленки, полученной известным способом (е - вдвое меньше, потери больше в 2-3 раза). Предмет изобретения Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок сложных окислов, например, на основе титаната бария, основанный на дискретном испарении в вакууме исходного материала с последующей конденсацией его на нагретой нодложке, отличающийся тем, что, с целью улучшения сегнетоэлектрических свойств пленок, производят предварительный синтез исходного материала в виде керамики нестехиометрического состава.

то

woa

800 600

дЫ1}

1,0 0,75 0,50 0,25 О

О50

-2,5

-1.5

0,5

15П°Г

ЮО