Состав для удаления фоторезистов Советский патент 1974 года по МПК H01L21/306 G03F7/32 

1

Изобретение относится к технике фотолитографии и может быть использовано при производстве лолупроводниковых приборов.

Известно использование растворов на основе органических соединений для удаления фоторезистов.

Предложенный состав обеспечивает качественное удаление фоторезиста, задубленно-го при высоких темлературах, без дополнительного нагревания на всех огюрациях фотолитографии, исключает механическую обработку подложек, устраняет корродирующее действие .раствора иа материал подложки.

Состав для удаления фоторезиста состоит из перекиси водорода и моноэтаноламина, взятых в следуюпдем соотношении: Перекись водорода(30-35%-ная) -1 мл Моноэтаноламип0,5-7 мл

Состав готовят непосредственно перед удалением фоторезиста с подложек путем добавления перекиси аодорода в моноэтаноламин

и по1мещают в него подложки с фоторезистом. Фоторезист удаляется с лодложки в ходе экзотермической реакции между комп-о«внтами состава.

Пример. При изготовлении К1ремниевых р-п-/7-транзисторов типа КТ326 для удаления фоторезистов использовался состав, где кохмпоненты были взяты в следующих объемных соотношениях:

Перекись водорода ос. ч.1 Ч,

Моноэтаноламин3 ч.

Предмет (Изобретения

Состав для удаления фоторезистов на основе органических раст1варителей, отличающийся тем, что, с .целью упрощения технологии и повышения качества поверхности, он состоит из перекиси .водорода и моноэтаноламина, взятых в следующих соотношениях: Перекись водорода(30-35%-ная) -1 мл

Моноэтаноламин0,5-7 мл