Состав для травления арсенида галлия Советский патент 1974 года по МПК H01L7/50 

1

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть применено в областях, где предъявляются высокие требования к качеству поверхности и плосконараллельности снимаемых слоев полупроводниковых материалов.

Поскольку отри изготавлении полу1П1роводниковых прибо-ров и исследовании полу.вроводниковых материалов требуются очень тонкие пластины, от нескольких Мвкрон до десятых долей ми1крона, которые нельзя получить шлифовкой и химикомеханической полировкой, возникла необходимость доводить пластины до требуемой толщины травлением. Применяемый травитель должен обеспечить зеркально-гладкую поверхность пластины и плоокопараллельность снимаемых слоев.

Основными недостатками известных травителей Я(вляются: зависимость полирующих свойств от температуры; отсутствие ллоокопараллельности при травлении, завал KipaeB.

Цель изобретения-получение заркальногладкой полированной поверхности, предотвращение селективности травления и обеспечение плоскопараллельности /поверхностей при стравливании слоев любой толщины.

Поставленная дель достигается применением травителя следующего состава: 30%-ная

перекись водорода и 65%-ная азотная кислота, взятые в соотношении Л : 3.

Пластину арсенида галия, которую нужно травить, кладут на дно сосуда с травителем так, чтобы /поверхность пластины была параллельна дну сосуда. Скорость травления при температуре 22°С-б мк/мин. Чтобы уменьшить скорость травления, нужно ввести в травитель воду, например, в следующем соотношении 1 ч. Н2О2+3 ч. HNOs+lO ч. Н2О.

Скорость травления в этом травителе .при температуре 22°С - 0,5 м«/мин. Скорость травления можно уменьшить, увеличив .количество азотной кислоты в травителе. Если

взять перекись водорода и азотную кислоту в соотношении 1 : 10 соответственно, то скорость травления при температуре 22°С равна 2,7 МК/мин.

Предмет изобретения

Состав для травления арсенида галлия на основе азотной .кислоты, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой плоскопараллельной поверхности при стравливании слоев арсенида галлия любой толщины, в состав введены перекись водорода, причем азотная кислота и .перекись водорода взяты в соотношении 3 : 1 соответственно.