Халькогенидное стекло Советский патент 1974 года по МПК C03C3/30 

1

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол и может быть использовано в электронике.

Известно халькогенидное стекло, включающее Те и As.

Цель изобретения - повышение электронной проводимости.

Достигается это тем, что стекло дополнительно содержит Си при следующем соотнощении компонентов, ат.%:

Те45-73

As13-45

Си9-25

Предложенное стекло приготавливают следующим образом.

Исходные компоненты (мыщьяк, теллур и медь или их соединения друг с другом) общим количеством 5-20 г помещают в кварцевую ампулу, которую вакуумируют до 10- мм рт. ст. и запаивают. Синтез проводят в печи

или в пламени газовой горелки при 900- 950°С и выдержке с непрерывным перемешиванием от 15 мин до нескольких часов. Расплав подвергают резкой закалке в ледяной

воде.

Полученные стекла в зависимости от состава характеризуются следующими свойствами: плотность 5,8-6,6 г/см, микротвердость 140- 210 кг/мм, температура стеклования 90-

150°С. Стекла имеют высокую кристаллизационную способность, устойчивы по отношению к растворам кислот и щелочей, прозрачпы в ИК-области спектра.

Стекла такого состава имеют более высокую

проводимость и низкую щирину запрещенной зоны по сравнению со всеми ранее известными халькогениднымп стеклами

1-4

М- см-1, ,2-0,5 эв.

-10

Физико-химические свойства предложенных стекол приведены в таблице.

34

Предмет изобретенияполнительно содержит Си при следующем соХалькогенидное стекло, включающее Те иТе45-73

As, отличающееся тем, что, с целью по-As13-45

вышения электронной проводимости, оно до- 5Си9-25

отношении компонентов, ат.%: