Изобретение относится к области радиодеталестроенияв Известны устройства для формовки объемно-пористых анодов оксидно полупроводниковых и электролитических конденсаторов, содержащие ванну с электролитом, тр)анспортирущии механизм для подачи ленты с анодами и блок подачи формовочного напряжениЯо Для поддержания формовочного тока на каадом из анодов максимально допустимой ПОСТОЯННОЙ ПЛОТНОСТИ требуется большое количество формовочных ванн5 что значжтельно усложняет устройствоо Цель изобретения - повысить эффективность работы устройства, Это достигается тем, что пре длагаемое устройство снабжено раз мещенный в ванне изоляционным экраном, выполненным в виде трубки прямоугольного сечения, служащей для размещения входной ветви ленТЫ с анодами, причем один из торцов трубки расположен над уровнем электролита На фигЛ представлена схема устройства для формовки объемно пористых анодов оксидно полупроводниковых конденсаторов; на фиг о 2 - - графи|с значения формовочного тока в процессе формовки на предлагаемом ггстройстве при подаче номинального формовочного напряжения; на - график значений формовочного тота в процессе формовки на многоступенчатом устройстве с постепенным повышением формовочного напряжения до номинального. Устройство СОСТОИТ из ванны I с электролитом;, звездочек 2,транспортирздащих несущую ленту 3, кагодаой пластины 4, контактных роли -з 5 -и изолирующего экрана 6. Несущая лента 3 с закрепленнына ней анодами транспортирует3ся звездочками 2 вванну с электр литом через изолируший экран 6, погруженный в электролит ванны на определенную глубину Н. Номинально Формовочное напряжение подводится к анодам при помощи катодных шастин 4 и контактных роликот 5. Аноды, закрепленные на ленту 3, последовательно погружаются в электролит, ограниченный сквознывв изолирущим экраном 6. ИЗОБРЕТЕНИЯ Устройство для формовки объе но-пористых анодов окси,тщо-полупроводниковых и электрожтических конденсаторов, содержащее ванну с электролита, транспортирущий механизм для подачи ленты с анодами и блок подачи формовочного напряжения, отличающеес я тем,что, с целью повышения эффективности работы устройства, оно снабжено змещенным в ванне изоляционным экраншА, выполненным в виде трзгбки прямоугольного сечения, служащей для размещения входной ветви ленты с анодами, причем один из торцов трубки расположен над уровнем электролита.
jf
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИОБИЕВОГО ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО АНОДА ПОВЫШЕННОГО РАБОЧЕГО НАПРЯЖЕНИЯ | 2005 |
|
RU2287869C1 |
СПОСОБ ДИНАМИЧЕСКОЙ ФОРМОВКИ ОБЪЕМНО- ПОРИСТЫХ АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ | 1972 |
|
SU434496A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО СЛОЯ НА АНОДАХ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ | 2006 |
|
RU2322722C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТЫХ АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 1992 |
|
RU2033899C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТЫХ АНОДОВ ОКСИДНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 1992 |
|
RU2042222C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО СЛОЯ НА АНОДАХ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ | 2011 |
|
RU2456697C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО АНОДА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА | 1987 |
|
SU1556422A1 |
Линия для изготовления оксидно-полу-пРОВОдНиКОВыХ КОНдЕНСАТОРОВ | 1979 |
|
SU851511A1 |
Способ изготовления анода оксидно-полупроводникового конденсатора | 1981 |
|
SU1054841A1 |
ТРИАЛКОКСИСИЛАНЫ, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ НА ОСНОВЕ ПОЛИЭТИЛЕНДИОКСИТИОФЕНА С СИЛАНОВЫМ ПОДСЛОЕМ И ОКСИДНЫЙ КОНДЕНСАТОР С ТАКОЙ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКОЙ | 2011 |
|
RU2500682C2 |
ФигЛ
фуг. 2
ФигЗ
Авторы
Даты
1974-10-25—Публикация
1973-05-11—Подача