Способ нанесения фоторезиста на подложку Советский патент 1974 года по МПК H05K3/00 B05C17/00 G03C1/74 

1

Изоб)етеиие относится к электронной техfuiKe н может быть использовано при производстве полупроиодниковы.ч приборов, интегральных схем, печатных нлат.

Известны способы нанесертия фоторезнста на подложку, основанные на распылении фоторезиста и осаждении его на нодложку.

Однако известные способы характеризуются большим расходом фоторезиста.

Целью изобретения является уменьшснне расхода фоторезиста.

Для этого осаждение фоторезиста производят в температурном иоле.

При выходе из сопла воздушный поток с иеосеви1ими частицами фоторезнста направляется в плоскопараллельный капал, в котором температура верхней стенки выше температуры ппжней стенки. При этом происходит осаждеппе частиц фоторезиста под действием сил тяжести и тс|)мофоретических сил,

возникающих вс.тедствие создания градианта температуры и обусловлнваюни1Х отталкивание частиц фоторезиста от нагретого тела. В результате действия термофоретпческих спл и спл тяжести происходит дополнительное осаждепне частиц фоторезпста па под.южки. Этот способ позволяет зпачительно снизить расход фоторезпста за счет создания пап;оавле1пюго ламинарного потока, движуП1егося в температурном иоле.

П ) е д м е т изобретен и я

Способ нанесения фоторезнста на подложку, основанный на распыленнп фоторезиста н осаждении его иа подложку, о т л и ч а ю И1 и йс я тe, что, с целью y ;eньшelиiя расхода фоторезнста, осаждение его на подложку производят в темиературпом ноле.